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元器件型号：44134 件

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技术

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GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
GaNFET（氮化镓）
MOSFET（金属氧化物）
N 通道
P 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
SiCFET（碳化硅）
SiC（碳化硅结晶体管）

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清除筛选应用筛选筛选结果： 44134

商品描述	综合参数	综合参数	封装规格/资料	操作
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： AO3400A复制状态：爆款修改品牌： AOS/万代复制封装：SOT-23-3L 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：5.7A（Ta） Vgs(最大值)：±12V 功率-最大值：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：- 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：7nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：630pF @ 15V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： BSZ0901NS复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：PG-TSDSON-8（3.3X3.3）外壳：8-POWERTDFN 描述： MOSFET N-CH 30V S308	Fet类型：MOSFET N 通道，金属氧化物漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：22A（Ta），40A（Tc） Vgs(最大值)：功率-最大值：50W 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：OptiMOS™ 技术：驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：不同id,vgs 时的rds on：2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：45nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：2850pF @ 15V fet 功能：标准	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： FDV305N复制状态：爆款修改品牌： ONSEMI/安森美复制封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：20V 电流-连续漏极(id)：900mA（Ta） Vgs(最大值)：±12V 功率-最大值：350mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：PowerTrench® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on：220 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：1.5nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：109pF @ 10V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： BSC093N15NS5ATMA1复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：PG-TDSON-8-7 外壳：8-PowerTDFN 描述： MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：150V 电流-连续漏极(id)：87A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：139W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：OptiMOS™ 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：8V，10V 不同id,vgs 时的rds on：9.3 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：4.6V @ 107µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：40.7nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：3230pF @ 75V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： SQD19P06-60L_GE3复制状态：爆款修改品牌： Vishay/威世复制封装：TO-252，（D-Pak）外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 描述： MOSFET P-CH 60V 20A TO252	Fet类型：P 通道漏源极电压(vdss)：60V 电流-连续漏极(id)：20A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：46W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：55 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：41nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：1490pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：车规级/Automotive 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： NTTFS4C06NTAG复制状态：爆款修改品牌： ONSEMI/安森美复制封装：8-WDFN（3.3x3.3）外壳：8-PowerWDFN 描述： MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：11A（Ta），67A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：810mW（Ta），31W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：- 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：4.2 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：36nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：3366pF @ 15V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： 2V7002KT1G复制状态：爆款修改品牌： ONSEMI/安森美复制封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：60V 电流-连续漏极(id)：320mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：300mW（Tj）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：Automotive, AEC-Q101 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：.7nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：24.5pF @ 20V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：车规级/Automotive 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： SI2333CDS-T1-GE3复制状态：爆款修改品牌： Vishay/威世复制封装：SOT-23-3（TO-236）外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23	Fet类型：P 通道漏源极电压(vdss)：12V 电流-连续漏极(id)：7.1A（Tc） Vgs(最大值)：±8V 功率-最大值：1.25W（Ta），2.5W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：TrenchFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on：35 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：25nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：1225pF @ 6V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRFTS8342TRPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：6-TSOP 外壳：SOT-23-6 描述： MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：8.2A（Ta） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：2W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：19 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：4.8nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：560pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRLL024NTRPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：SOT-223 外壳：TO-261-4，TO-261AA 描述： MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：55V 电流-连续漏极(id)：3.1A（Ta） Vgs(最大值)：±16V 功率-最大值：1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4V，10V 不同id,vgs 时的rds on：65 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：15.6nC @ 5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：510pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRLR024NTRPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：D-Pak 外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 描述： MOSFET N-CH 55V 17A DPAK	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：55V 电流-连续漏极(id)：17A（Tc） Vgs(最大值)：±16V 功率-最大值：45W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4V，10V 不同id,vgs 时的rds on：65 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：15nC @ 5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：480pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IPT015N10N5ATMA1复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：PG-HSOF-8-1 外壳：8-PowerSFN 描述： MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：100V 电流-连续漏极(id)：300A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：375W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：OptiMOS™ 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：6V，10V 不同id,vgs 时的rds on：1.5 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：211nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：16000pF @ 50V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRF5210STRLPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：D2PAK 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 描述： MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK	Fet类型：P 通道漏源极电压(vdss)：100V 电流-连续漏极(id)：38A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：3.1W（Ta），170W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：10V 不同id,vgs 时的rds on：60 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：230nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：2780pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRFZ44NSTRLPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：D2PAK 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 描述： MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：55V 电流-连续漏极(id)：49A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：3.8W（Ta），94W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：10V 不同id,vgs 时的rds on：17.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：63nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：1470pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： SI2300DS-T1-GE3-VB复制状态：爆款修改品牌： VBsemi/微碧复制封装：SOT23 描述： SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；	Fet类型：N—Channel沟道漏源极电压(vdss)：20V 电流-连续漏极(id)：6A Vgs(最大值)：功率-最大值：工作温度：	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：技术：驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：不同id,vgs 时的rds on：不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：不同vds 时的输入电容（ciss）： fet 功能：	类别：单通道MOS管等级：-	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： AO3414复制状态：爆款修改品牌： AOS/万代复制封装：SOT-23-3L 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：20V 电流-连续漏极(id)：3A（Ta） Vgs(最大值)：±8V 功率-最大值：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：- 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on：50 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：6.2nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：436pF @ 10V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： AO3400A-VB复制状态：爆款修改品牌： VBsemi/微碧复制封装：SOT23 描述： SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=0.7~2V；	Fet类型：N—Channel沟道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：5A Vgs(最大值)：功率-最大值：工作温度：	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：技术：驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：不同id,vgs 时的rds on：不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：不同vds 时的输入电容（ciss）： fet 功能：	类别：单通道MOS管等级：-	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： AO3400A复制状态：爆款修改品牌： AOS/万代复制封装：SOT-23-3L 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：5.7A（Ta） Vgs(最大值)：±12V 功率-最大值：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：- 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：7nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：630pF @ 15V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： BSZ0901NS复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：PG-TSDSON-8（3.3X3.3）外壳：8-POWERTDFN 描述： MOSFET N-CH 30V S308	Fet类型：MOSFET N 通道，金属氧化物漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：22A（Ta），40A（Tc） Vgs(最大值)：功率-最大值：50W 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：OptiMOS™ 技术：驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：不同id,vgs 时的rds on：2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：45nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：2850pF @ 15V fet 功能：标准	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： FDN352AP复制状态：爆款修改品牌： ONSEMI/安森美复制封装：SuperSOT-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3	Fet类型：P 通道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：1.3A（Ta） Vgs(最大值)：±25V 功率-最大值：500mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：PowerTrench® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：180 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：1.9nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：150pF @ 15V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： FDV305N复制状态：爆款修改品牌： ONSEMI/安森美复制封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：20V 电流-连续漏极(id)：900mA（Ta） Vgs(最大值)：±12V 功率-最大值：350mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：PowerTrench® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on：220 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：1.5nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：109pF @ 10V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： BSC093N15NS5ATMA1复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：PG-TDSON-8-7 外壳：8-PowerTDFN 描述： MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：150V 电流-连续漏极(id)：87A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：139W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：OptiMOS™ 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：8V，10V 不同id,vgs 时的rds on：9.3 毫欧 @ 44A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：4.6V @ 107µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：40.7nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：3230pF @ 75V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： SQD19P06-60L_GE3复制状态：爆款修改品牌： Vishay/威世复制封装：TO-252，（D-Pak）外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 描述： MOSFET P-CH 60V 20A TO252	Fet类型：P 通道漏源极电压(vdss)：60V 电流-连续漏极(id)：20A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：46W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：55 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：41nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：1490pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：车规级/Automotive 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： NTTFS4C06NTAG复制状态：爆款修改品牌： ONSEMI/安森美复制封装：8-WDFN（3.3x3.3）外壳：8-PowerWDFN 描述： MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：11A（Ta），67A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：810mW（Ta），31W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：- 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：4.2 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：36nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：3366pF @ 15V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： 2V7002KT1G复制状态：爆款修改品牌： ONSEMI/安森美复制封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：60V 电流-连续漏极(id)：320mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：300mW（Tj）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：Automotive, AEC-Q101 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：.7nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：24.5pF @ 20V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：车规级/Automotive 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： SI2333CDS-T1-GE3复制状态：爆款修改品牌： Vishay/威世复制封装：SOT-23-3（TO-236）外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 描述： MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23	Fet类型：P 通道漏源极电压(vdss)：12V 电流-连续漏极(id)：7.1A（Tc） Vgs(最大值)：±8V 功率-最大值：1.25W（Ta），2.5W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：TrenchFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on：35 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：25nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：1225pF @ 6V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRFTS8342TRPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：6-TSOP 外壳：SOT-23-6 描述： MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：30V 电流-连续漏极(id)：8.2A（Ta） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：2W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：19 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：4.8nC @ 4.5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：560pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRLL024NTRPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：SOT-223 外壳：TO-261-4，TO-261AA 描述： MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：55V 电流-连续漏极(id)：3.1A（Ta） Vgs(最大值)：±16V 功率-最大值：1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4V，10V 不同id,vgs 时的rds on：65 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：15.6nC @ 5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：510pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRLR024NTRPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：D-Pak 外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 描述： MOSFET N-CH 55V 17A DPAK	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：55V 电流-连续漏极(id)：17A（Tc） Vgs(最大值)：±16V 功率-最大值：45W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4V，10V 不同id,vgs 时的rds on：65 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：15nC @ 5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：480pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IPT015N10N5ATMA1复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：PG-HSOF-8-1 外壳：8-PowerSFN 描述： MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：100V 电流-连续漏极(id)：300A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：375W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：OptiMOS™ 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：6V，10V 不同id,vgs 时的rds on：1.5 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：211nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：16000pF @ 50V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRF5210STRLPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：D2PAK 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 描述： MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK	Fet类型：P 通道漏源极电压(vdss)：100V 电流-连续漏极(id)：38A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：3.1W（Ta），170W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：10V 不同id,vgs 时的rds on：60 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：230nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：2780pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRFZ44NSTRLPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：D2PAK 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 描述： MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：55V 电流-连续漏极(id)：49A（Tc） Vgs(最大值)：±20V 功率-最大值：3.8W（Ta），94W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：10V 不同id,vgs 时的rds on：17.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：63nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）：1470pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页
select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.rate,a.rate_hot,sum(a.rate+a.rate_hot/100) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' 型号： IRLR2905ZTRPBF复制状态：爆款修改品牌： Infineon/英飞凌复制封装：D-Pak 外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 描述： MOSFET N-CH 55V 42A DPAK	Fet类型：N 通道漏源极电压(vdss)：55V 电流-连续漏极(id)：42A（Tc） Vgs(最大值)：±16V 功率-最大值：110W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）	string(51) "'fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd'" SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as title FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE ORDINAL_POSITION >=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='ms')+1 and ORDINAL_POSITION <=(SELECT ORDINAL_POSITION FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME='is_new_time') and table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_NAME not in('tdxl','gysqjfz','lm','fz_wk','zzs','tag','wk_cc','zzs_old','zzs_new','ljzt','spq','sqp','is_rohs','bz','gys_id','gm_gys_id','xysl','cfkc','dj','price_addtime','zddgs','spq','moq''gl_zz','gl_dm','gl_dmtp','symbol','gl_vdd','gl_gnd','gl_jz','gl_bdm','gl_bdmsm','gl_kbc','gl_dmgx','pcbfzk_id','pcbfzk','jyid','cat_id','wl_num','admin_id','mpn_bm','ch_bm','lock_dm','is_use_cat_id','is_new_time','gl_zz','gl_pin') and COLUMN_NAME not in ('fetlx','ldjdy','dl_lxlj','vgs_zdz','gn_zdz','gzwd') limit 8 系列：HEXFET® 技术：MOSFET（金属氧化物）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)：4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on：13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值)：3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg)：35nC @ 5V 不同vds 时的输入电容（ciss）：1570pF @ 25V fet 功能：-	类别：单通道MOS管等级：- 标识：(VIP会员显示) 资料：规格书/封装库	查询价格详情页

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