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Micron Technology Inc. 美光科技

Micron

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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 128MBIT SPI 15XFWLBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Mb（16M x 8）
电压 - 电源：1.7V ~ 2V
丝印：
外壳：
封装：15-XFWLBGA
料号：C1-42282
包装： 5000个/ 卷带
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：256Mb （32M x 8，16M x 16）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：56-TSOP
料号：C1-3098
包装： 托盘
参考价格:￥69.562800
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
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丝印：
外壳：
封装：64-EasyBGA（8x10）
料号：C1-3103
包装： 标准卷带
参考价格:￥69.562800
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
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包装： 托盘
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替代：
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丝印：
外壳：
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料号：C1-3114
包装：
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：2Gb （128M x 16）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：60-VFBGA（8x9）
料号：C1-3116
包装： 散装
参考价格:￥69.562800
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描述： IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
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描述： IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
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存储器格式：闪存
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电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
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封装：64-EasyBGA（10x13）
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包装： 托盘
参考价格:￥69.562800
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
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类别： 存储器
替代：
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存储器格式：闪存
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丝印：
外壳：
封装：64-EasyBGA（10x13）
料号：C1-3135
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参考价格:￥69.562800
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存储容量：32Gb （4G x 8）
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Gb （4G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：100-LBGA（14x18）
料号：C1-3147
包装：
参考价格:￥69.562800
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可供数量:咨询
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总额：
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描述： IC FLASH 32G MMC 153TFBGA
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：96-FBGA（8x14）
料号：C1-3156
包装： 2000个/
参考价格:￥69.562800
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：4Gb（512M x 8）
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封装：78-FBGA（8x10.5）
料号：C1-3157
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替代：
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存储器格式：DRAM
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丝印：
外壳：
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料号：C1-3158
包装： 标准卷带
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:8ms，2.8ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8，16M x 16） 存储器接口:105ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:105ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:100ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:100ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:13.75ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:2Gb （64M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:208MHz 访问时间:14.4ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:2Gb （128M x 16） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:208MHz 访问时间:14.4ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:2Gb（64M x 32） 存储器接口:并联 时钟频率:208 MHz 写周期时间 - 字，页:14.4ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:2Gb （128M x 16） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:208MHz 访问时间:14.4ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:167MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8，16M x 16） 存储器接口:95ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:95ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8，16M x 16） 存储器接口:95ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:95ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:32Gb （4G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:32Gb （4G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:32Gb （4G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb （256M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:933MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb （256M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:933MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:100ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:100ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：512Mb （32M x 16）
电压 - 电源：1.7V ~ 2V
丝印：
外壳：
封装：64-EasyBGA（8x10）
料号：C1-3162
包装： 180个/ 托盘
参考价格:￥69.562800
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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