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Micron Technology Inc. 美光科技

Micron

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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA
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替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb （32M x 32）
电压 - 电源：1.14V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：134-FBGA（10x11.5）
料号：C1-3214
包装： 标准卷带
参考价格:￥64.884600
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Gb （4G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：153-WFBGA（11.5x13）
料号：C1-3215
包装： 标准卷带
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替代：
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存储容量：4Gb （128M x 32）
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
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丝印：
外壳：
封装：134-FBGA（10x11.5）
料号：C1-3217
包装： 托盘
参考价格:￥64.884600
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描述： IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA
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描述： IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA
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替代：
存储器类型：易失
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：128Mb （4M x 32）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：90-VFBGA（8x13）
料号：C1-3224
包装： 散装
参考价格:￥64.884600
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描述： IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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存储器格式：DRAM
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描述： IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
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替代：
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外壳：
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料号：C1-3236
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参考价格:￥64.884600
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：1Gb（64M x 16）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：60-VFBGA（8x9）
料号：C1-3238
包装： 1000个/ 卷带
参考价格:￥64.884600
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可供数量:咨询
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
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可供数量:咨询
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：60-VFBGA（8x9）
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包装： 散装
参考价格:￥64.884600
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：易失
存储器格式：DRAM
存储容量：4Gb（512M x 8）
电压 - 电源：1.283V ~ 1.45V
丝印：
外壳：
封装：78-FBGA（8x10.5）
料号：C1-3245
包装： 1个/ 托盘
参考价格:￥64.884600
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可供数量:咨询
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替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：8Gb （1G x 8）
电压 - 电源：-40°C ~ 85°C（TA）
丝印：
外壳：
封装：
料号：C1-3286
包装： 1000个/ 托盘
参考价格:￥64.884600
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描述： IC FLASH 64G MMC 153VFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：64Gb （8G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：153-VFBGA（11.5x13）
料号：C1-3287
包装： 标准卷带
参考价格:￥64.884600
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可供数量:咨询
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品牌： Micron Technology Inc.复制 Micron 美光科技
描述： IC FLASH 64G MMC 153VFBGA
参数： *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:1Gb （32M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:32Gb （4G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb （128M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:533MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb （128M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb （128M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb （128M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:1Gb （32M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:1Gb （32M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:167MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.5V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:167MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.5V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:1Gb （32M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:1Gb （32M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb （8G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb （8G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：64Gb （8G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：153-VFBGA（11.5x13）
料号：C1-3288
包装： 1000个/ 托盘
参考价格:￥64.884600
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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