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描述:
IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
参数:
*存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签:
|
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:4Mb (512K x 8)
电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V
|
丝印:
外壳:
封装:34-PowerCap 模块
料号:C1-4795
包装:
管件
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1250YP-70+' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
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存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:4Mb (512K x 8)
电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V
|
丝印:
外壳:
封装:34-PowerCap 模块
料号:C1-4815
包装:
管件
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1250YP-70IND+' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DS1265Y-70+复制
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描述:
IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
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*存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签:
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存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
存储容量:8Mb (1M x 8)
电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V
|
丝印:
外壳:
封装:36-EDIP
料号:C1-4847
包装:
管件
|
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1265Y-70+' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述:
IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
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|
存储器类型:非易失
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电压 - 电源:3V ~ 3.6V
|
丝印:
外壳:
封装:36-EDIP
料号:C1-4849
包装:
管件
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1265W-100+' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
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描述:
IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
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描述:
IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
参数:
*存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:16Mb (2M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签:
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丝印:
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描述:
IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
参数:
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|
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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描述:
IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
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|
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料号:C1-4867
包装:
管件
|
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描述:
IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
参数:
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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
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描述:
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
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描述:
IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
参数:
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存储器类型:非易失
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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
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描述:
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
参数:
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型号: DS1250WP-100+复制
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描述:
IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
参数:
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丝印:
外壳:
封装:34-PowerCap 模块
料号:C1-5373
包装:
管件
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型号: DS1225AD-70+复制
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描述:
IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
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*存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:16Mb (2M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:16Mb (2M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:16Mb (2M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:16Mb (2M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:16Mb (2M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:16Mb (2M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:150ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:150ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 标签:
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存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
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丝印:
外壳:
封装:28-EDIP
料号:C1-5421
包装:
管件
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
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可供数量:咨询
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