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Maxim Integrated 美信

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品牌： Maxim Integrated复制 Maxim 美信
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替代：
存储器类型：非易失
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存储容量：64Kb （8K x 8）
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
丝印：
外壳：
封装：28-EDIP
料号：C1-5437
包装： 管件
参考价格:￥180.980800
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替代：
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存储器格式：NVSRAM
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：34-PowerCap 模块
料号：C1-5494
包装： 管件
参考价格:￥180.980800
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品牌： Maxim Integrated复制 Maxim 美信
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料号：C1-5571
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
存储容量：64Kb （8K x 8）
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
丝印：
外壳：
封装：28-EDIP
料号：C1-5642
包装： 管件
参考价格:￥180.980800
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可供数量:咨询
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品牌： Maxim Integrated复制 Maxim 美信
描述： IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
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类别： 存储器
替代：
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存储容量：16Kb （2K x 8）
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丝印：
外壳：
封装：24-EDIP
料号：C1-5722
包装： 管件
参考价格:￥180.980800
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品牌： Maxim Integrated复制 Maxim 美信
描述： IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
存储容量：256Kb （32K x 8）
电压 - 电源：4.75V ~ 5.25V
丝印：
外壳：
封装：34-PowerCap 模块
料号：C1-5758
包装： 管件
参考价格:￥180.980800
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：34-PowerCap 模块
料号：C1-5760
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参考价格:￥180.980800
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替代：
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丝印：
外壳：
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料号：C1-5767
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品牌： Maxim Integrated复制 Maxim 美信
描述： IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:150ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:150ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:200ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:200ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:150ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:150ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:170ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:170ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:200ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:200ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:200ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:200ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:120ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:120ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:200ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:200ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:150ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:150ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:2Mb （256K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
存储容量：1Mb （128K x 8）
电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：34-PowerCap 模块
料号：C1-5837
包装： 管件
参考价格:￥180.980800
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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