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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
|
二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：5A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.7V @ 2A
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-302
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D02060E-TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
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描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO252-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
|
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：8A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 2A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 650V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-476
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D02065E-TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 11.5A TO252
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
|
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：11A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.7V @ 3A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-1980
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D03060E-TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 11.5A TO252
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
|
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：11A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 3A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-2054
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D03065E-TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO263-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
|
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：24A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 6A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 600V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-263-2
料号：E3-2251
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|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D08060G-TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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DIODE SCHOTTKY 600V 29.5A TO263
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二极管类型：肖特基
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速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 600V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-263-2
料号：E3-2355
包装：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 19A TO252-2
参数：
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二极管类型：碳化硅肖特基
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外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-2408
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO252
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：13.5A（DC）
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:167pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：10A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 2A
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:167pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:无恢复时间 > 500mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.7V @ 6A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：50µA @ 600V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-263-2
料号：E3-3083
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:167pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:无恢复时间 > 500mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
|
二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：17.5A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 5A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-3145
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO252
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:167pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:无恢复时间 > 500mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：24.5A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 8A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-3222
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C4D08120E-TR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
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二极管类型：碳化硅肖特基
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丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-3459
包装：
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描述：
DIODE SILICON 1.7KV 25A CHIP
参数：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:167pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:无恢复时间 > 500mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 25A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:2250pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:470pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：12.5A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 8A
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-220-2
料号：E3-8938
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD08060A' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CSD10030A复制
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DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
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外壳：
封装：TO-220-2
料号：E3-9401
包装：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2
参数：
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二极管类型：碳化硅肖特基
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可供数量:咨询
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:167pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:无恢复时间 > 500mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 25A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:2250pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:470pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:660pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：3.5A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 2A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200µA @ 600V
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丝印：
外壳：
封装：TO-263-2
料号：E3-9403
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 6A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:26pF @ 400V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:29A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:13.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:167pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:无恢复时间 > 500mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 25A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:2250pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:470pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:660pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:3.5A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:7A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:220pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：7A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 4A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200µA @ 600V
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丝印：
外壳：
封装：TO-220-2
料号：E3-9404
包装：
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