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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
|
二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：19A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 5A
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-252-2
料号：E3-17889
包装：
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C4D05120E' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8.2A TO220
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：19A（DC）
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：150µA @ 1200V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-220-2
料号：E3-17890
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C4D05120A' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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包装：
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2
参数：
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 7.5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
参数：
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丝印：
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封装：TO-252-2
料号：E3-17912
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.7KV 14.4A TO247
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二极管类型：碳化硅肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：2V @ 10A
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-247-2
料号：E3-17918
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 7.5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:31A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1000pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:14.4A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:827pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:54.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1500pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
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封装：TO-220-2
料号：E3-17920
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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二极管类型：碳化硅肖特基
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丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：E3-17923
包装：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 1.7KV 26.3A TO247
参数：
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：26.3A（DC）
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丝印：
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封装：TO-247-2
料号：E3-17927
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2
参数：
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料号：E3-19496
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描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2
参数：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2
参数：
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料号：E3-19791
包装：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2
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*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 7.5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:31A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1000pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:14.4A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:827pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:54.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1500pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:1970pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:26.3A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 25A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:2079pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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描述：
6A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DIO
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 7.5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:31A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1000pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:14.4A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:827pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:54.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1500pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:1970pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:26.3A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 25A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:2079pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:30µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:394pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
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|
丝印：
外壳：
封装：TO-220-2
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包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： C6D08065A复制
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8A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DIO
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包装：
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描述：
10A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DI
参数：
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二极管类型：碳化硅肖特基
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型号： C3D12065A复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 35A TO220-2
参数：
*二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:19A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:390pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:17.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:455pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 7.5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:560pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:33A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:754pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:31A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1000pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:14.4A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:827pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:54.5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:1500pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:1970pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:26.3A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 25A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1700V 不同 Vr、F 时电容:2079pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 4A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:251pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 3A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:11A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 3A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:155pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:20A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:295pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:24A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 6A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:30µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:394pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:518pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:37A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:611pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:35A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 12A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:74µA @ 650V 不同 Vr、F 时电容:641.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：35A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 12A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：74µA @ 650V
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丝印：
外壳：
封装：TO-220-2
料号：E3-24682
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D12065A' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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总额：
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