ON Semiconductor 安森美

ON

官网

    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(65) { ["id"]=> string(3) "763" ["pdf_add"]=> string(58) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB40N120FL2WA-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(81) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;-MKT-TO247A04;-;-4.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(16) "NGTB40N120FL2WAG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "40.320000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "160A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "160A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V,40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "536W" ["kgnl"]=> string(31) "1.7mJ(开),1.1mJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "313nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "30ns/145ns" ["cstj"]=> string(28) "600V,40A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "240ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-4" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-247-4L" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTB40N120FL2WAG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N120FL2WAG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N120FL2WAG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值:536W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247-4L
料号:JTG14-763
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB40N120FL2WAG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "764" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB40N65FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "NGTB40N65FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "40.320000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "160A" ["bt_vge_zdz"]=> string(14) "2V @ 15V,40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "366W" ["kgnl"]=> string(33) "970µJ(开),440µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "170nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "84ns/177ns" ["cstj"]=> string(28) "400V,40A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "72ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTB40N65FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N65FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N65FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
功率 - 最大值:366W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-764
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB40N65FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "765" ["pdf_add"]=> string(55) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH25T120SMD-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(17) "FGH25T120SMD-F155" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "40.930000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(27) "IGBT 1200V 50A 428W TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "50A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "100A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V,25A" ["gx_zdz"]=> string(4) "428W" ["kgnl"]=> string(33) "1.74mJ(开),560µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "225nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "40ns/490ns" ["cstj"]=> string(28) "600V,25A,23 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "60ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(16) "TO-247 长引线" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: FGH25T120SMD-F155复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH25T120SMD-F155' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH25T120SMD-F155' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A
功率 - 最大值:428W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247 长引线
料号:JTG14-765
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH25T120SMD-F155' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "769" ["pdf_add"]=> string(55) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGTP20N60A4-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AB-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(11) "HGTG20N60A4" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "45.770000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "IGBT 600V 70A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "70A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "280A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.7V @ 15V,20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "290W" ["kgnl"]=> string(33) "105µJ(开),150µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "142nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "15ns/73ns" ["cstj"]=> string(27) "390V,20A,3 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(27) "390V,20A,3 欧姆,15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909853" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: HGTG20N60A4复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG20N60A4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG20N60A4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 70A TO247-3
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A
功率 - 最大值:290W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-769
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HGTG20N60A4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "770" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGA30N120FTD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO3PN03A;;3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "FGA30N120FTDTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "48.840000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "IGBT 1200V 60A 339W TO3P" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "60A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "90A" ["bt_vge_zdz"]=> string(14) "2V @ 15V,30A" ["gx_zdz"]=> string(4) "339W" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "208nC" ["td_kg_z"]=> string(1) "-" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(5) "730ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3,SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PN" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909853" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: FGA30N120FTDTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA30N120FTDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA30N120FTDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 60A 339W TO3P
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
功率 - 最大值:339W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-3PN
料号:JTG14-770
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGA30N120FTDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "771" ["pdf_add"]=> string(58) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH40T120SQDNL4-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(64) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/488;340CJ;;4.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "FGH40T120SQDNL4" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "54.070000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "IGBT 1200V 40A UFS FOR SO" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "160A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "160A" ["bt_vge_zdz"]=> string(17) "1.95V @ 15V,40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "454W" ["kgnl"]=> string(31) "1.4mJ(开),1.1mJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "221nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "46ns/220ns" ["cstj"]=> string(28) "600V,40A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "166ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-4" ["gysqjfz"]=> string(9) "TO-247-4L" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909853" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "0" }
状态: 在售
型号: FGH40T120SQDNL4复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T120SQDNL4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T120SQDNL4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A
功率 - 最大值:454W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247-4L
料号:JTG14-771
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH40T120SQDNL4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "772" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTG40N120FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTG40N120FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "60.290000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "IGBT 1200V 40A TO-247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "200A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V,40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "535W" ["kgnl"]=> string(31) "3.4mJ(开),1.1mJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "313nC" ["td_kg_z"]=> string(11) "116ns/286ns" ["cstj"]=> string(28) "600V,40A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "600V,40A,10 欧姆,15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909853" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTG40N120FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG40N120FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG40N120FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 40A TO-247
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值:535W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-772
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTG40N120FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "773" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB30N120FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB30N120FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "60A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.3V @ 15V,30A" ["gx_zdz"]=> string(4) "452W" ["kgnl"]=> string(32) "2.6mJ(开),700µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "220nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "98ns/210ns" ["cstj"]=> string(28) "600V,30A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "240ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909853" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTB30N120FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB30N120FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB30N120FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
功率 - 最大值:452W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-773
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB30N120FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "775" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB60N65FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "NGTB60N65FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "87.160000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(4) "100A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "240A" ["bt_vge_zdz"]=> string(14) "2V @ 15V,60A" ["gx_zdz"]=> string(4) "595W" ["kgnl"]=> string(33) "1.59mJ(开),660µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "318nC" ["td_kg_z"]=> string(11) "117ns/265ns" ["cstj"]=> string(28) "400V,60A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "96ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909853" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTB60N65FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB60N65FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB60N65FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
功率 - 最大值:595W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-775
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB60N65FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "776" ["pdf_add"]=> string(50) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/ENA1862-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(72) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/8-SMD,%20Flat%20Lead.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "TIG065E8-TL-H" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(19) "IGBT 400V 150A ECH8" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "400V" ["dl_jdj"]=> string(4) "400V" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "150A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "7V @ 2.5V,100A" ["gx_zdz"]=> string(16) "7V @ 2.5V,100A" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(6) "标准" ["td_kg_z"]=> string(1) "-" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(14) "150°C(TJ)" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(20) "8-SMD,扁平引线" ["gysqjfz"]=> string(5) "8-ECH" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909854" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: TIG065E8-TL-H复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TIG065E8-TL-H' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TIG065E8-TL-H' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 400V 150A ECH8
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):400V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A
功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:8-ECH
料号:JTG14-776
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TIG065E8-TL-H' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "777" ["pdf_add"]=> string(58) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB03N60R2DT4G-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(61) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/DPAK_369C.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB03N60R2DT4G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(17) "IGBT 9A 600V DPAK" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(2) "9A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "12A" ["bt_vge_zdz"]=> string(15) "2.1V @ 15V,3A" ["gx_zdz"]=> string(3) "49W" ["kgnl"]=> string(31) "50µJ(开),27µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "17nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "27ns/59ns" ["cstj"]=> string(27) "300V,3A,30 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "65ns" ["gzwd"]=> string(14) "175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(46) "TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63" ["gysqjfz"]=> string(4) "DPAK" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909854" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTB03N60R2DT4G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB03N60R2DT4G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB03N60R2DT4G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 9A 600V DPAK
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A
功率 - 最大值:49W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:DPAK
料号:JTG14-777
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB03N60R2DT4G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "779" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGD3N60UNDF-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(65) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/TO-252-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(11) "FGD3N60UNDF" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "IGBT 600V 6A 60W DPAK" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(2) "6A" ["dl_jdjmc"]=> string(2) "9A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.52V @ 15V,3A" ["gx_zdz"]=> string(3) "60W" ["kgnl"]=> string(31) "52µJ(开),30µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "1.6nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "5.5ns/22ns" ["cstj"]=> string(27) "400V,3A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "21ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(46) "TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63" ["gysqjfz"]=> string(20) "TO-252,(D-Pak)" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909854" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: FGD3N60UNDF复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGD3N60UNDF' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGD3N60UNDF' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 6A 60W DPAK
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A
功率 - 最大值:60W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-252,(D-Pak)
料号:JTG14-779
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGD3N60UNDF' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "780" ["pdf_add"]=> string(54) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGD3N60LSD-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(65) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/TO-252-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FGD3N60LSDTM" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "IGBT 600V 6A 40W DPAK" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(2) "6A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "25A" ["bt_vge_zdz"]=> string(15) "1.5V @ 10V,3A" ["gx_zdz"]=> string(3) "40W" ["kgnl"]=> string(30) "250µJ(开),1mJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(6) "12.5nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "40ns/600ns" ["cstj"]=> string(28) "480V,3A,470 欧姆,10V" ["fxhfsj"]=> string(5) "234ns" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(46) "TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63" ["gysqjfz"]=> string(5) "D-Pak" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909855" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: FGD3N60LSDTM复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGD3N60LSDTM' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGD3N60LSDTM' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 6A 40W DPAK
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A
功率 - 最大值:40W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:D-Pak
料号:JTG14-780
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGD3N60LSDTM' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "815" ["pdf_add"]=> string(59) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/ISL9V3040D-F085-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO263A02;;2.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "ISL9V3040S3ST" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "IGBT 430V 21A TO263AB" ["xl"]=> string(10) "EcoSPARK®" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "430V" ["dl_jdj"]=> string(3) "21A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "21A" ["bt_vge_zdz"]=> string(14) "1.6V @ 4V,6A" ["gx_zdz"]=> string(4) "150W" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(6) "逻辑" ["sjdh"]=> string(4) "17nC" ["td_kg_z"]=> string(8) "-/4.8µs" ["cstj"]=> string(20) "300V,1 千欧,5V" ["fxhfsj"]=> string(20) "300V,1 千欧,5V" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(51) "TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-263AB" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909928" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: ISL9V3040S3ST复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL9V3040S3ST' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL9V3040S3ST' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 430V 21A TO263AB
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):430V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A
功率 - 最大值:150W
输入类型:逻辑
丝印:
外壳:
封装:TO-263AB
料号:JTG14-815
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL9V3040S3ST' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "823" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGI3040G2_F085-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO263A02;;2.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "FGB3040G2-F085" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(19) "IGBT 400V 41A TO263" ["xl"]=> string(32) "Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "400V" ["dl_jdj"]=> string(3) "41A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "41A" ["bt_vge_zdz"]=> string(15) "1.25V @ 4V,6A" ["gx_zdz"]=> string(4) "150W" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(6) "逻辑" ["sjdh"]=> string(4) "21nC" ["td_kg_z"]=> string(12) "900ns/4.8µs" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(51) "TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(18) "D²PAK(TO-263)" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909941" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: FGB3040G2-F085复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGB3040G2-F085' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGB3040G2-F085' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 400V 41A TO263
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:21nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/4.8µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):400V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A
功率 - 最大值:150W
输入类型:逻辑
丝印:
外壳:
封装:D²PAK(TO-263)
料号:JTG14-823
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGB3040G2-F085' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "841" ["pdf_add"]=> string(58) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTG20N60L2TF1G-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(65) "//media.digikey.com/photos/On%20Semi%20Photos/NGTG20N60L2TF1G.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTG20N60L2TF1G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.580000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "IGBT 600V 40A 64W TO-3PF" ["xl"]=> string(1) "*" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(1) "-" ["dl_jdj"]=> string(1) "-" ["dl_jdjmc"]=> string(1) "-" ["bt_vge_zdz"]=> string(1) "-" ["gx_zdz"]=> string(1) "-" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(1) "-" ["sjdh"]=> string(1) "-" ["td_kg_z"]=> string(1) "-" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(1) "-" ["fz_wk"]=> string(1) "-" ["gysqjfz"]=> string(1) "-" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909957" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTG20N60L2TF1G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG20N60L2TF1G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG20N60L2TF1G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:21nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/4.8µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:-
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):-
功率 - 最大值:-
输入类型:-
丝印:
外壳:
封装:-
料号:JTG14-841
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTG20N60L2TF1G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "844" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB40N65IHRTG-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "NGTB40N65IHRTG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "22.190000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(13) "IGBT 650V 40A" ["xl"]=> string(1) "*" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(1) "-" ["dl_jdj"]=> string(1) "-" ["dl_jdjmc"]=> string(1) "-" ["bt_vge_zdz"]=> string(1) "-" ["gx_zdz"]=> string(1) "-" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(1) "-" ["sjdh"]=> string(1) "-" ["td_kg_z"]=> string(1) "-" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(1) "-" ["fz_wk"]=> string(1) "-" ["gysqjfz"]=> string(1) "-" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909957" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTB40N65IHRTG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N65IHRTG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N65IHRTG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 650V 40A
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:21nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/4.8µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:-
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):-
功率 - 最大值:-
输入类型:-
丝印:
外壳:
封装:-
料号:JTG14-844
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB40N65IHRTG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "850" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGB20N60SFD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO263A02;;2.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(11) "FGB20N60SFD" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "26.960000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "IGBT 600V 40A 208W D2PAK" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.8V @ 15V,20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "208W" ["kgnl"]=> string(33) "370µJ(开),160µJ(关)" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "65nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "13ns/90ns" ["cstj"]=> string(28) "400V,20A,10 欧姆,15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "34ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(51) "TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(6) "D²PAK" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909974" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: FGB20N60SFD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGB20N60SFD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGB20N60SFD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 40A 208W D2PAK
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:21nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/4.8µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A *功率 - 最大值:208W 开关能量:370µJ(开),160µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/90ns 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A
功率 - 最大值:208W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:D²PAK
料号:JTG14-850
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGB20N60SFD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "853" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB15N120FLW-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "NGTB15N120FLWG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "31.330000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(22) "IGBT 1200V 15A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "*" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(1) "-" ["dl_jdj"]=> string(1) "-" ["dl_jdjmc"]=> string(1) "-" ["bt_vge_zdz"]=> string(1) "-" ["gx_zdz"]=> string(1) "-" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(1) "-" ["sjdh"]=> string(1) "-" ["td_kg_z"]=> string(1) "-" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(1) "-" ["fz_wk"]=> string(1) "-" ["gysqjfz"]=> string(1) "-" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909974" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "0" }
状态: 在售
型号: NGTB15N120FLWG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB15N120FLWG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB15N120FLWG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 15A TO247-3
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:21nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/4.8µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A *功率 - 最大值:208W 开关能量:370µJ(开),160µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/90ns 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:-
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):-
功率 - 最大值:-
输入类型:-
丝印:
外壳:
封装:-
料号:JTG14-853
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB15N120FLWG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
array(65) { ["id"]=> string(3) "860" ["pdf_add"]=> string(58) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB50N120FL2WA-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(81) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;-MKT-TO247A04;-;-4.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(16) "NGTB50N120FL2WAG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "42.160000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4" ["xl"]=> string(1) "*" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(1) "-" ["dl_jdj"]=> string(1) "-" ["dl_jdjmc"]=> string(1) "-" ["bt_vge_zdz"]=> string(1) "-" ["gx_zdz"]=> string(1) "-" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(1) "-" ["sjdh"]=> string(1) "-" ["td_kg_z"]=> string(1) "-" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(1) "-" ["fz_wk"]=> string(1) "-" ["gysqjfz"]=> string(1) "-" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909974" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态: 在售
型号: NGTB50N120FL2WAG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB50N120FL2WAG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB50N120FL2WAG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
参数: *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:536W 开关能量:1.7mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/145ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A *功率 - 最大值:428W 开关能量:1.74mJ(开),560µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/490ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:339W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:208nC 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):730ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,40A *功率 - 最大值:454W 开关能量:1.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:221nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/220ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):166ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ(开),1.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/286ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.6mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.59mJ(开),660µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:318nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/265ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):96ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 2.5V,100A *功率 - 最大值:7V @ 2.5V,100A 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A *功率 - 最大值:49W 开关能量:50µJ(开),27µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/59ns 测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A *功率 - 最大值:60W 开关能量:52µJ(开),30µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:1.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:5.5ns/22ns 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A *功率 - 最大值:40W 开关能量:250µJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/600ns 测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V 反向恢复时间 (trr):234ns 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):41A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:21nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/4.8µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A *功率 - 最大值:208W 开关能量:370µJ(开),160µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td(开/关)值:13ns/90ns 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:- *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):- *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):- *功率 - 最大值:- 开关能量:- *输入类型:- 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:- 安装类型:-
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):-
功率 - 最大值:-
输入类型:-
丝印:
外壳:
封装:-
料号:JTG14-860
包装:
参考价格:45.561600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB50N120FL2WAG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
  共有551个记录    每页显示20条,本页161-180条    9/28页    首 页    上一页   5  6  7  8  9  10  11  12  13   下一页    尾 页      

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车!
复制成功

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922