首页 >> 所有制造商 >> ON

ON Semiconductor 安森美

ON

官网

    晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(65) { ["id"]=> string(3) "729" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGTP5N120BND-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AB-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "HGTG5N120BND" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "20.580000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(26) "IGBT NPT 1200V 21A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "21A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "40A" ["bt_vge_zdz"]=> string(15) "2.7V @ 15V，5A" ["gx_zdz"]=> string(4) "167W" ["kgnl"]=> string(33) "450µJ（开），390µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "53nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "22ns/160ns" ["cstj"]=> string(27) "960V，5A，25 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "65ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909829" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： HGTG5N120BND复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG5N120BND' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG5N120BND' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A
功率 - 最大值：167W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-729
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HGTG5N120BND' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "730" ["pdf_add"]=> string(55) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGHL40S65UQ-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(11) "FGHL40S65UQ" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "20.580000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(13) "IGBT 650V 40A" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "1.7V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "231W" ["kgnl"]=> string(33) "1.76mJ（开），362µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "306nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "32ns/260ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，40A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "319ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-247-3 变式" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909829" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGHL40S65UQ复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGHL40S65UQ' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGHL40S65UQ' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 650V 40A
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，40A
功率 - 最大值：231W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-730
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGHL40S65UQ' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "731" ["pdf_add"]=> string(55) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH20N60UFD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "FGH20N60UFDTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "20.810000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "165W" ["kgnl"]=> string(33) "380µJ（开），260µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "63nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "13ns/87ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，20A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "34ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909829" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGH20N60UFDTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH20N60UFDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH20N60UFDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值：165W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-731
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH20N60UFDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "734" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGT1S12N60A4DS-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AB-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "HGTG12N60A4D" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.270000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "IGBT 600V 54A 167W TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "54A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "96A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.7V @ 15V，12A" ["gx_zdz"]=> string(4) "167W" ["kgnl"]=> string(31) "55µJ（开），50µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "78nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "17ns/96ns" ["cstj"]=> string(28) "390V，12A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "30ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909829" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： HGTG12N60A4D复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG12N60A4D' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG12N60A4D' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 600V 54A 167W TO247
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A
功率 - 最大值：167W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-734
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HGTG12N60A4D' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "736" ["pdf_add"]=> string(1) "-" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "FGH20N60SFDTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.500000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.8V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "165W" ["kgnl"]=> string(33) "370µJ（开），160µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "65nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "13ns/90ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，20A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "34ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909829" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGH20N60SFDTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH20N60SFDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH20N60SFDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，20A
功率 - 最大值：165W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-736
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH20N60SFDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "739" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGAF40N60UF-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO220M03;;3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "FGAF40N60UFTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.960000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(19) "IGBT 600V 40A TO3PF" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "160A" ["bt_vge_zdz"]=> string(14) "3V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "100W" ["kgnl"]=> string(33) "470µJ（开），130µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "77nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "15ns/65ns" ["cstj"]=> string(28) "300V，20A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "300V，20A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(14) "TO-3P-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PF" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909829" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGAF40N60UFTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF40N60UFTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF40N60UFTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 600V 40A TO3PF
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，20A
功率 - 最大值：100W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PF
料号：JTG14-739
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGAF40N60UFTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "742" ["pdf_add"]=> string(59) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGA15N120ANTDTU-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(20) "FGA15N120ANTDTU-F109" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "22.270000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "IGBT 1200V 30A 186W TO3P" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(13) "NPT 和沟道" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "30A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "45A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，15A" ["gx_zdz"]=> string(4) "186W" ["kgnl"]=> string(30) "3mJ（开），600µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "120nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "15ns/160ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，15A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "330ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO-3P" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909830" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGA15N120ANTDTU-F109复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA15N120ANTDTU-F109' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA15N120ANTDTU-F109' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 1200V 30A 186W TO3P
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A
功率 - 最大值：186W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3P
料号：JTG14-742
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGA15N120ANTDTU-F109' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "744" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGT1S12N60A4DS-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(88) "https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2500/3757~TO220AB-L~~3.jpg" ["images"]=> string(67) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-220-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "HGTP12N60A4D" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "24.420000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1694614684" ["ms"]=> string(21) "IGBT 600V 54A TO220-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "54A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "96A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.7V @ 15V，12A" ["gx_zdz"]=> string(4) "167W" ["kgnl"]=> string(31) "55µJ（开），50µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "78nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "17ns/96ns" ["cstj"]=> string(28) "390V，12A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "30ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-220-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-220-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： HGTP12N60A4D复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTP12N60A4D' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTP12N60A4D' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 600V 54A TO220-3
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A
功率 - 最大值：167W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-220-3
料号：JTG14-744
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HGTP12N60A4D' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "745" ["pdf_add"]=> string(54) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGAF40S65AQ-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3PF-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(11) "FGAF40S65AQ" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "24.580000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(20) "650V 40A FS4 SA IGBT" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "160A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.1V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(3) "94W" ["kgnl"]=> string(32) "132µJ（开），62µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "75nC" ["td_kg_z"]=> string(13) "17.8ns/81.6ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，10A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "274ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(14) "TO-3P-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-3PF-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "0" }
状态： 在售
型号： FGAF40S65AQ复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF40S65AQ' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF40S65AQ' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： 650V 40A FS4 SA IGBT
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值：94W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PF-3
料号：JTG14-745
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGAF40S65AQ' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "747" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTG35N65FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "NGTG35N65FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "28.490000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "70A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(14) "2V @ 15V，35A" ["gx_zdz"]=> string(4) "300W" ["kgnl"]=> string(33) "840µJ（开），280µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "125nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "72ns/132ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，35A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "400V，35A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTG35N65FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG35N65FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG35N65FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A
功率 - 最大值：300W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-747
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTG35N65FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "749" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGAF20N60SMD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(69) "//media.digikey.com/photos/Fairchild%20Semi%20Photos/FGAF20N60SMD.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FGAF20N60SMD" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "29.030000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "1.7V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(3) "75W" ["kgnl"]=> string(33) "452µJ（开），141µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "64nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "12ns/91ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，20A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(6) "26.7ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(14) "TO-3P-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PF" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGAF20N60SMD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF20N60SMD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF20N60SMD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，20A
功率 - 最大值：75W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PF
料号：JTG14-749
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGAF20N60SMD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "752" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB20N120IHR-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB20N120IHRWG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "34.640000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(17) "2.45V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "384W" ["kgnl"]=> string(15) "450µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "225nC" ["td_kg_z"]=> string(7) "-/235ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，20A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "600V，20A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB20N120IHRWG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB20N120IHRWG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB20N120IHRWG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，20A
功率 - 最大值：384W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-752
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB20N120IHRWG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "753" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB40N65IHL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB40N65IHL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "35.170000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "160A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.2V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "300W" ["kgnl"]=> string(15) "360µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "135nC" ["td_kg_z"]=> string(7) "-/140ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，40A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "465ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB40N65IHL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N65IHL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N65IHL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，40A
功率 - 最大值：300W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-753
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB40N65IHL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "754" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB30N60L2WG-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "NGTB30N60L2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(19) "IGBT 600V 30A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(4) "100A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "1.6V @ 15V，30A" ["gx_zdz"]=> string(4) "225W" ["kgnl"]=> string(33) "310µJ（开），1.14mJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "166nC" ["td_kg_z"]=> string(11) "100ns/390ns" ["cstj"]=> string(28) "300V，30A，30 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "70ns" ["gzwd"]=> string(14) "175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB30N60L2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB30N60L2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB30N60L2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 600V 30A TO247
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，30A *功率 - 最大值:225W 开关能量:310µJ（开），1.14mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:166nC 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/390ns 测试条件:300V，30A，30 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V，30A
功率 - 最大值：225W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-754
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB30N60L2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "755" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGAF40N60SMD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO220M03;;3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FGAF40N60SMD" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "35.400000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "1.9V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "115W" ["kgnl"]=> string(33) "870µJ（开），260µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "119nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "12ns/92ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，40A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "36ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(14) "TO-3P-3 整包" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PF" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909837" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGAF40N60SMD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF40N60SMD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGAF40N60SMD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，30A *功率 - 最大值:225W 开关能量:310µJ（开），1.14mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:166nC 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/390ns 测试条件:300V，30A，30 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:115W 开关能量:870µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):36ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，40A
功率 - 最大值：115W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PF
料号：JTG14-755
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGAF40N60SMD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "756" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTG25N120FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTG25N120FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "35.790000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "IGBT 1200V 25A TO-247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "50A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "100A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，25A" ["gx_zdz"]=> string(4) "385W" ["kgnl"]=> string(33) "1.95mJ（开），600µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "178nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "87ns/179ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，25A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "600V，25A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTG25N120FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG25N120FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG25N120FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 1200V 25A TO-247
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，30A *功率 - 最大值:225W 开关能量:310µJ（开），1.14mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:166nC 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/390ns 测试条件:300V，30A，30 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:115W 开关能量:870µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):36ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A *功率 - 最大值:385W 开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，25A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A
功率 - 最大值：385W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-756
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTG25N120FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "757" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB20N135IHR-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB20N135IHRWG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "37.250000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1350V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(17) "2.65V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "394W" ["kgnl"]=> string(15) "600µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "234nC" ["td_kg_z"]=> string(7) "-/245ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，20A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "600V，20A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB20N135IHRWG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB20N135IHRWG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB20N135IHRWG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，30A *功率 - 最大值:225W 开关能量:310µJ（开），1.14mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:166nC 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/390ns 测试条件:300V，30A，30 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:115W 开关能量:870µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):36ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A *功率 - 最大值:385W 开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，25A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，20A *功率 - 最大值:394W 开关能量:600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/245ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1350V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.65V @ 15V，20A
功率 - 最大值：394W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-757
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB20N135IHRWG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "758" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB40N120IHR-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB40N120IHRWG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "38.090000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "IGBT 1200V 80A 384W TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(17) "2.55V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "384W" ["kgnl"]=> string(15) "950µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "225nC" ["td_kg_z"]=> string(7) "-/230ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，40A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "600V，40A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB40N120IHRWG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N120IHRWG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N120IHRWG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 1200V 80A 384W TO247
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，30A *功率 - 最大值:225W 开关能量:310µJ（开），1.14mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:166nC 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/390ns 测试条件:300V，30A，30 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:115W 开关能量:870µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):36ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A *功率 - 最大值:385W 开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，25A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，20A *功率 - 最大值:394W 开关能量:600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/245ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.55V @ 15V，40A *功率 - 最大值:384W 开关能量:950µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/230ns 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.55V @ 15V，40A
功率 - 最大值：384W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-758
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB40N120IHRWG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "761" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB40N120FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB40N120FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "38.710000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "200A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "535W" ["kgnl"]=> string(31) "3.4mJ（开），1.1mJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "313nC" ["td_kg_z"]=> string(11) "116ns/286ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，40A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "240ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB40N120FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N120FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N120FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，30A *功率 - 最大值:225W 开关能量:310µJ（开），1.14mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:166nC 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/390ns 测试条件:300V，30A，30 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:115W 开关能量:870µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):36ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A *功率 - 最大值:385W 开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，25A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，20A *功率 - 最大值:394W 开关能量:600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/245ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.55V @ 15V，40A *功率 - 最大值:384W 开关能量:950µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/230ns 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td（开/关）值:116ns/286ns 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：535W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-761
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB40N120FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(3) "762" ["pdf_add"]=> string(57) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AFGHL40T65SPD-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "AFGHL40T65SPD" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "39.470000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "FS3 T TO247 40A 650V AUTO" ["xl"]=> string(20) "Automotive, AEC-Q101" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "267W" ["kgnl"]=> string(33) "1.16mJ（开），270µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "36nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "18ns/35ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，40A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597909838" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： AFGHL40T65SPD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFGHL40T65SPD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFGHL40T65SPD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： FS3 T TO247 40A 650V AUTO
参数： *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，5A *功率 - 最大值:167W 开关能量:450µJ（开），390µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/160ns 测试条件:960V，5A，25 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，40A *功率 - 最大值:231W 开关能量:1.76mJ（开），362µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/260ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):319ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:370µJ（开），160µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/90ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，20A *功率 - 最大值:100W 开关能量:470µJ（开），130µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/65ns 测试条件:300V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:186W 开关能量:3mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/160ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):330ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):96A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，12A *功率 - 最大值:167W 开关能量:55µJ（开），50µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:78nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/96ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):30ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:94W 开关能量:132µJ（开），62µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:75nC 25°C 时 Td（开/关）值:17.8ns/81.6ns 测试条件:400V，10A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):274ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，35A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A *功率 - 最大值:75W 开关能量:452µJ（开），141µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):26.7ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，20A *功率 - 最大值:384W 开关能量:450µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/235ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，40A *功率 - 最大值:300W 开关能量:360µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/140ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):465ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.6V @ 15V，30A *功率 - 最大值:225W 开关能量:310µJ（开），1.14mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:166nC 25°C 时 Td（开/关）值:100ns/390ns 测试条件:300V，30A，30 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:115W 开关能量:870µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/92ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):36ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A *功率 - 最大值:385W 开关能量:1.95mJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:178nC 25°C 时 Td（开/关）值:87ns/179ns 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，25A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，20A *功率 - 最大值:394W 开关能量:600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:234nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/245ns 测试条件:600V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，20A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.55V @ 15V，40A *功率 - 最大值:384W 开关能量:950µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/230ns 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:3.4mJ（开），1.1mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:313nC 25°C 时 Td（开/关）值:116ns/286ns 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：267W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-762
包装：
参考价格:￥23.255400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFGHL40T65SPD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
  共有551个记录    每页显示20条，本页141-160条    8/28页    首 页    上一页   4  5  6  7  8  9  10  11  12   下一页    尾 页      

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！
去购物车结算 继续采购
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922