首页 >> 所有制造商 >> ON

ON Semiconductor 安森美

ON

官网

    晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(65) { ["id"]=> string(4) "1611" ["pdf_add"]=> string(77) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Fairchild%20PDFs/SGH10N60RUFD.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO3PN03A;;3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "SGH10N60RUFDTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "19.630000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(22) "IGBT 600V 16A 75W TO3P" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "16A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "30A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.8V @ 15V，10A" ["gx_zdz"]=> string(3) "75W" ["kgnl"]=> string(33) "141µJ（开），215µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "30nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "15ns/36ns" ["cstj"]=> string(28) "300V，10A，20 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "60ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PN" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910412" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： SGH10N60RUFDTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SGH10N60RUFDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SGH10N60RUFDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 600V 16A 75W TO3P
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，10A
功率 - 最大值：75W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PN
料号：JTG14-1611
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SGH10N60RUFDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1613" ["pdf_add"]=> string(1) "-" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FGHL40T65MQD" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "19.840000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(19) "IGBT 650V 40A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "160A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "1.8V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "238W" ["kgnl"]=> string(33) "860µJ（开），520µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "86nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "22ns/109ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，40A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "33ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-247-3 变式" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910413" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGHL40T65MQD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGHL40T65MQD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGHL40T65MQD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 650V 40A TO247
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，40A
功率 - 最大值：238W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1613
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGHL40T65MQD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1614" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTG15N120FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTG15N120FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "19.910000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "30A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，15A" ["gx_zdz"]=> string(4) "294W" ["kgnl"]=> string(32) "1.2mJ（开），370µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "109nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "64ns/128ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，15A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "600V，15A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910413" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTG15N120FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG15N120FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTG15N120FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A
功率 - 最大值：294W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1614
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTG15N120FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1615" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB15N135IHR-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB15N135IHRWG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "20.180000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT TRENCH/FS 1350V 30A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1350V" ["dl_jdj"]=> string(3) "30A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(17) "2.65V @ 15V，15A" ["gx_zdz"]=> string(4) "357W" ["kgnl"]=> string(15) "420µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "156nC" ["td_kg_z"]=> string(7) "-/170ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，15A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "600V，15A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910413" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB15N135IHRWG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB15N135IHRWG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB15N135IHRWG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 1350V 30A TO247
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1350V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.65V @ 15V，15A
功率 - 最大值：357W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-1615
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB15N135IHRWG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1618" ["pdf_add"]=> string(55) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGP20N60UFD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(88) "https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2500/3757~TO220AB-L~~3.jpg" ["images"]=> string(67) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-220-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "FGP20N60UFDTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "20.350000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(10) "1694613382" ["ms"]=> string(24) "IGBT 600V 40A 165W TO220" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "165W" ["kgnl"]=> string(33) "380µJ（开），260µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "63nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "13ns/87ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，20A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "35ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-220-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-220-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910413" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGP20N60UFDTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGP20N60UFDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGP20N60UFDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 600V 40A 165W TO220
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值：165W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-220-3
料号：JTG14-1618
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGP20N60UFDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1619" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGA40T65SHDF-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO3PN03A;;3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FGA40T65SHDF" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "20.760000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(17) "1.81V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "268W" ["kgnl"]=> string(33) "1.22mJ（开），440µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "68nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "18ns/64ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，40A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "101ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PN" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910413" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGA40T65SHDF复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA40T65SHDF' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA40T65SHDF' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.81V @ 15V，40A
功率 - 最大值：268W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PN
料号：JTG14-1619
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGA40T65SHDF' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1623" ["pdf_add"]=> string(54) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGA20S140P-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO3PN03A;;3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(10) "FGA20S140P" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.430000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT TRENCH/FS 1400V 40A TO3PN" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1400V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "60A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，20A" ["gx_zdz"]=> string(4) "272W" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(7) "203.5nC" ["td_kg_z"]=> string(1) "-" ["cstj"]=> string(1) "-" ["fxhfsj"]=> string(1) "-" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PN" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGA20S140P复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA20S140P' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA20S140P' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 1400V 40A TO3PN
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1400V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值：272W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PN
料号：JTG14-1623
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGA20S140P' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1625" ["pdf_add"]=> string(55) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH40T65SHD-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(16) "FGH40T65SHD-F155" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.740000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "IGBT 650V 80A 268W TO-247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.1V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "268W" ["kgnl"]=> string(33) "1.01mJ（开），297µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(6) "72.2nC" ["td_kg_z"]=> string(13) "19.2ns/65.6ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，40A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(6) "31.8ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(16) "TO-247 长引线" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGH40T65SHD-F155复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T65SHD-F155' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T65SHD-F155' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 650V 80A 268W TO-247
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值：268W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247 长引线
料号：JTG14-1625
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH40T65SHD-F155' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1626" ["pdf_add"]=> string(1) "-" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "FGHL50T65MQD" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "21.800000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(19) "IGBT 650V 50A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "200A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "1.8V @ 15V，50A" ["gx_zdz"]=> string(4) "268W" ["kgnl"]=> string(33) "1.05mJ（开），700µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "94nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "23ns/120ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，50A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "32ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(15) "TO-247-3 变式" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGHL50T65MQD复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGHL50T65MQD' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGHL50T65MQD' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 650V 50A TO247
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，50A
功率 - 最大值：268W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1626
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGHL50T65MQD' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1627" ["pdf_add"]=> string(57) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGL60N100BNTD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(75) "//media.digikey.com/Photos/Fairchild%20Semi%20Photos/TO-264-3,-TO-264AA.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "FGL60N100BNTDTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "22.240000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "IGBT 1000V 60A 180W TO264" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(13) "NPT 和沟道" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1000V" ["dl_jdj"]=> string(3) "60A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.9V @ 15V，60A" ["gx_zdz"]=> string(4) "180W" ["kgnl"]=> string(1) "-" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "275nC" ["td_kg_z"]=> string(11) "140ns/630ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，60A，51 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(6) "1.2µs" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-264-3，TO-264AA" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-264-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGL60N100BNTDTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGL60N100BNTDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGL60N100BNTDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 1000V 60A 180W TO264
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：1000V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A
功率 - 最大值：180W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-264-3
料号：JTG14-1627
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGL60N100BNTDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1628" ["pdf_add"]=> string(57) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGTG10N120BND-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AB-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(13) "HGTG10N120BND" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "22.270000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(26) "IGBT NPT 1200V 35A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "35A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "80A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.7V @ 15V，10A" ["gx_zdz"]=> string(4) "298W" ["kgnl"]=> string(33) "850µJ（开），800µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "100nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "23ns/165ns" ["cstj"]=> string(28) "960V，10A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "70ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： HGTG10N120BND复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG10N120BND' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG10N120BND' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值：298W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1628
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HGTG10N120BND' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1629" ["pdf_add"]=> string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB30N65IHL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(15) "NGTB30N65IHL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "22.390000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "60A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.2V @ 15V，30A" ["gx_zdz"]=> string(4) "300W" ["kgnl"]=> string(15) "200µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "135nC" ["td_kg_z"]=> string(7) "-/145ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，30A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(5) "430ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB30N65IHL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB30N65IHL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB30N65IHL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A
功率 - 最大值：300W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1629
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB30N65IHL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1631" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/SGH30N60RUFD-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "SGH30N60RUFDTU" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "22.520000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(23) "IGBT 600V 48A 235W TO3P" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(1) "-" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "48A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "90A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.8V @ 15V，30A" ["gx_zdz"]=> string(4) "235W" ["kgnl"]=> string(33) "919µJ（开），814µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "85nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "30ns/54ns" ["cstj"]=> string(27) "300V，30A，7 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "95ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(5) "TO-3P" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： SGH30N60RUFDTU复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SGH30N60RUFDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SGH30N60RUFDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 600V 48A 235W TO3P
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，30A
功率 - 最大值：235W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3P
料号：JTG14-1631
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SGH30N60RUFDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1632" ["pdf_add"]=> string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB35N65FL2W-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "NGTB35N65FL2WG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "22.810000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "70A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(14) "2V @ 15V，35A" ["gx_zdz"]=> string(4) "300W" ["kgnl"]=> string(33) "840µJ（开），280µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "125nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "72ns/132ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，35A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "68ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-247" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： NGTB35N65FL2WG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB35N65FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB35N65FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A
功率 - 最大值：300W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-1632
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB35N65FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1633" ["pdf_add"]=> string(59) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH40T65SP_F085-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(16) "FGH40T65SPD-F085" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "23.080000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(25) "IGBT NPT 650V 80A TO247-3" ["xl"]=> string(20) "Automotive, AEC-Q101" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "267W" ["kgnl"]=> string(33) "1.16mJ（开），270µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(4) "36nC" ["td_kg_z"]=> string(9) "18ns/35ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，40A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(27) "400V，40A，6 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910428" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGH40T65SPD-F085复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T65SPD-F085' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T65SPD-F085' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT NPT 650V 80A TO247-3
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，6 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：267W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1633
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH40T65SPD-F085' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1634" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGTP10N120BN-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO263A02;;2.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(14) "HGT1S10N120BNS" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "23.120000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(27) "IGBT 1200V 35A 298W TO263AB" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "35A" ["dl_jdjmc"]=> string(3) "80A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.7V @ 15V，10A" ["gx_zdz"]=> string(4) "298W" ["kgnl"]=> string(33) "320µJ（开），800µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "100nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "23ns/165ns" ["cstj"]=> string(28) "960V，10A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(28) "960V，10A，10 欧姆，15V" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(51) "TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-263AB" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910429" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： HGT1S10N120BNS复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGT1S10N120BNS' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGT1S10N120BNS' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，6 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:320µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):960V，10A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值：298W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-263AB
料号：JTG14-1634
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HGT1S10N120BNS' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1635" ["pdf_add"]=> string(54) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGA5065ADF-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO3PN03A;;3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(10) "FGA5065ADF" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "23.640000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(4) "100A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "150A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.2V @ 15V，50A" ["gx_zdz"]=> string(4) "268W" ["kgnl"]=> string(33) "1.35mJ（开），309µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(6) "72.2nC" ["td_kg_z"]=> string(13) "20.8ns/62.4ns" ["cstj"]=> string(27) "400V，50A，6 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(6) "31.8ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(17) "TO-3P-3，SC-65-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "TO-3PN" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910429" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGA5065ADF复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA5065ADF' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA5065ADF' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，6 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:320µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):960V，10A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.35mJ（开），309µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/62.4ns 测试条件:400V，50A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，50A
功率 - 最大值：268W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PN
料号：JTG14-1635
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGA5065ADF' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1637" ["pdf_add"]=> string(59) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH40N65UF-F085-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(18) "FGH40N65UFDTU-F085" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "24.560000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3" ["xl"]=> string(20) "Automotive, AEC-Q101" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "650V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.4V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "290W" ["kgnl"]=> string(33) "1.28mJ（开），500µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "119nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "23ns/126ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，40A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "65ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910429" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGH40N65UFDTU-F085复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40N65UFDTU-F085' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40N65UFDTU-F085' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，6 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:320µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):960V，10A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.35mJ（开），309µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/62.4ns 测试条件:400V，50A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.28mJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/126ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：290W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1637
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH40N65UFDTU-F085' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1639" ["pdf_add"]=> string(59) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH40N60SF-F085-D.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(18) "FGH40N60SFDTU-F085" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "24.950000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3" ["xl"]=> string(20) "Automotive, AEC-Q101" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(9) "场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.9V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "290W" ["kgnl"]=> string(33) "1.23mJ（开），380µJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "121nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "21ns/138ns" ["cstj"]=> string(28) "400V，40A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "68ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910429" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGH40N60SFDTU-F085复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40N60SFDTU-F085' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40N60SFDTU-F085' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，6 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:320µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):960V，10A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.35mJ（开），309µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/62.4ns 测试条件:400V，50A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.28mJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/126ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.23mJ（开），380µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:121nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/138ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，40A
功率 - 最大值：290W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1639
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH40N60SFDTU-F085' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "1640" ["pdf_add"]=> string(56) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH40T100SMD-D.PDF" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(17) "FGH40T100SMD-F155" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "25.070000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(27) "IGBT 1000V 80A 333W TO247-3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(16) "ON Semiconductor" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["dy_jsjjc"]=> string(5) "1000V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["dl_jdjmc"]=> string(4) "120A" ["bt_vge_zdz"]=> string(16) "2.3V @ 15V，40A" ["gx_zdz"]=> string(4) "333W" ["kgnl"]=> string(33) "2.35mJ（开），1.15mJ（关）" ["sclx"]=> string(6) "标准" ["sjdh"]=> string(5) "398nC" ["td_kg_z"]=> string(10) "29ns/285ns" ["cstj"]=> string(28) "600V，40A，10 欧姆，15V" ["fxhfsj"]=> string(4) "78ns" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-247-3" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-247-3" ["tag"]=> string(1) " " ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "135" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(16) "golon_jtg_ugbt_d" ["ch_bm"]=> string(31) "晶体管 - UGBT，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1597910429" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " ["spq"]=> NULL ["bz"]=> string(0) "" ["is_rohs"]=> string(1) "1" }
状态： 在售
型号： FGH40T100SMD-F155复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T100SMD-F155' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T100SMD-F155' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，10A *功率 - 最大值:75W 开关能量:141µJ（开），215µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:30nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/36ns 测试条件:300V，10A，20 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:860µJ（开），520µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:86nC 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/109ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):33ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，15A *功率 - 最大值:294W 开关能量:1.2mJ（开），370µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:109nC 25°C 时 Td（开/关）值:64ns/128ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.65V @ 15V，15A *功率 - 最大值:357W 开关能量:420µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:156nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/170ns 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):600V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:165W 开关能量:380µJ（开），260µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/87ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.81V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.22mJ（开），440µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):101ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A *功率 - 最大值:272W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:203.5nC 25°C 时 Td（开/关）值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.01mJ（开），297µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:19.2ns/65.6ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.05mJ（开），700µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/120ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):32ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，60A *功率 - 最大值:180W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:275nC 25°C 时 Td（开/关）值:140ns/630ns 测试条件:600V，60A，51 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):1.2µs 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:850µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:200µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:135nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):430ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，30A *功率 - 最大值:235W 开关能量:919µJ（开），814µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/54ns 测试条件:300V，30A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，35A *功率 - 最大值:300W 开关能量:840µJ（开），280µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:125nC 25°C 时 Td（开/关）值:72ns/132ns 测试条件:400V，35A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:1.16mJ（开），270µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/35ns 测试条件:400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，6 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:298W 开关能量:320µJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/165ns 测试条件:960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):960V，10A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，50A *功率 - 最大值:268W 开关能量:1.35mJ（开），309µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:72.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:20.8ns/62.4ns 测试条件:400V，50A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):31.8ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.28mJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:119nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/126ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.23mJ（开），380µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:121nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/138ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):68ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A *功率 - 最大值:333W 开关能量:2.35mJ（开），1.15mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:398nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/285ns 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):78ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1000V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
功率 - 最大值：333W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247-3
料号：JTG14-1640
包装：
参考价格:￥22.181900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH40T100SMD-F155' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
  共有551个记录    每页显示20条，本页241-260条    13/28页    首 页    上一页   9  10  11  12  13  14  15  16  17   下一页    尾 页      

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！
去购物车结算 继续采购
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922