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    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 [清除]
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: 650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
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输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-1667
包装:
参考价格:41.651800
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替代:
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输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
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外壳:
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描述: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
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丝印:
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料号:JTG14-1680
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
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参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
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描述: IGBT 1200V 54A 390W TO247
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
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替代:
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丝印:
外壳:
封装:TO-247-4L
料号:JTG14-1689
包装:
参考价格:41.651800
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
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输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1691
包装:
参考价格:41.651800
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 60A TO247-3
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 20A DPAK
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A *功率 - 最大值:72W 开关能量:412µJ(开),140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/120ns 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
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丝印:
外壳:
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料号:JTG14-1735
包装:
参考价格:41.651800
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参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A *功率 - 最大值:72W 开关能量:412µJ(开),140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/120ns 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 440V 15A 150W TO220AB
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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替代:
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外壳:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 440V 15A 107W DPAK
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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丝印:
外壳:
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料号:JTG14-2265
包装:
参考价格:41.651800
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 440V 15A 107W D2PAK
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