array(65) {
["id"]=>
string(4) "1667"
["pdf_add"]=>
string(76) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Fairchild%20PDFs/FGH75T65UPD.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(16) "FGH75T65UPD-F155"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "36.860000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(31) "650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "650V"
["dl_jdj"]=>
string(4) "150A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "225A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.3V @ 15V,75A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "375W"
["kgnl"]=>
string(32) "3.68mJ(开),1.6mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(4) "68nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "42ns/216ns"
["cstj"]=>
string(27) "400V,75A,3 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "85ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(6) "TO-247"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910437"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: FGH75T65UPD-F155复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH75T65UPD-F155' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH75T65UPD-F155' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A
功率 - 最大值:375W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-1667
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH75T65UPD-F155' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1668"
["pdf_add"]=>
string(75) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Fairchild%20PDFs/FGH75N60SF.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(12) "FGH75N60SFTU"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "37.180000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(25) "IGBT 600V 150A 452W TO247"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(9) "场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "600V"
["dl_jdj"]=>
string(4) "150A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "225A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.9V @ 15V,75A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "452W"
["kgnl"]=>
string(29) "2.7mJ(开),1mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "250nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "26ns/138ns"
["cstj"]=>
string(27) "400V,75A,3 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(27) "400V,75A,3 欧姆,15V"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910438"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: FGH75N60SFTU复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH75N60SFTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH75N60SFTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 600V 150A 452W TO247
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A
功率 - 最大值:452W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1668
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH75N60SFTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1670"
["pdf_add"]=>
string(57) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH25N120FTDS-D.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(13) "FGH25N120FTDS"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "57.520000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(25) "IGBT 1200V 50A 313W TO247"
["xl"]=>
string(1) "*"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(5) "1200V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "50A"
["dl_jdjmc"]=>
string(3) "75A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(14) "2V @ 15V,25A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "313W"
["kgnl"]=>
string(33) "1.42mJ(开),1.16mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "169nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "26ns/151ns"
["cstj"]=>
string(28) "600V,25A,10 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(5) "535ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910438"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: FGH25N120FTDS复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH25N120FTDS' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH25N120FTDS' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 1200V 50A 313W TO247
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A
功率 - 最大值:313W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1670
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH25N120FTDS' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1672"
["pdf_add"]=>
string(75) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Fairchild%20PDFs/SGF80N60UF.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO220M03;;3.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(12) "SGF80N60UFTU"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "41.750000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "IGBT 600V 80A 110W TO3PF"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(1) "-"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "600V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "80A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "220A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.6V @ 15V,40A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "110W"
["kgnl"]=>
string(33) "570µJ(开),590µJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "175nC"
["td_kg_z"]=>
string(9) "23ns/90ns"
["cstj"]=>
string(27) "300V,40A,5 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(27) "300V,40A,5 欧姆,15V"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(14) "TO-3P-3 整包"
["gysqjfz"]=>
string(6) "TO-3PF"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910446"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: SGF80N60UFTU复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SGF80N60UFTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SGF80N60UFTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 600V 80A 110W TO3PF
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A
功率 - 最大值:110W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-3PF
料号:JTG14-1672
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SGF80N60UFTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1673"
["pdf_add"]=>
string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB50N65FL2W-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(14) "NGTB50N65FL2WG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "42.330000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(32) "IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "650V"
["dl_jdj"]=>
string(4) "100A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "200A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(14) "2V @ 15V,50A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "417W"
["kgnl"]=>
string(32) "1.5mJ(开),460µJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "220nC"
["td_kg_z"]=>
string(11) "100ns/237ns"
["cstj"]=>
string(28) "400V,50A,10 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "94ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910446"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: NGTB50N65FL2WG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB50N65FL2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB50N65FL2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
功率 - 最大值:417W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1673
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB50N65FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1674"
["pdf_add"]=>
string(51) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH50N3-D.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(7) "FGH50N3"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "42.520000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "IGBT PT 300V 75A TO247-3"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(2) "PT"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "300V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "75A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "240A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "1.4V @ 15V,30A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "463W"
["kgnl"]=>
string(32) "130µJ(开),92µJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "180nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "20ns/135ns"
["cstj"]=>
string(27) "180V,30A,5 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(27) "180V,30A,5 欧姆,15V"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910447"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: FGH50N3复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH50N3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH50N3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT PT 300V 75A TO247-3
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:PT
电压 - 集射极击穿(最大值):300V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值:463W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1674
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH50N3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1680"
["pdf_add"]=>
string(55) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB40N60L2W-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(13) "NGTB40N60L2WG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "46.230000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(29) "IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "600V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "80A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "160A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(17) "2.61V @ 15V,40A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "417W"
["kgnl"]=>
string(33) "1.17mJ(开),280µJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "228nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "98ns/213ns"
["cstj"]=>
string(28) "400V,40A,10 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "73ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(6) "TO-247"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910447"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: NGTB40N60L2WG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N60L2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB40N60L2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A
功率 - 最大值:417W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-1680
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB40N60L2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1682"
["pdf_add"]=>
string(56) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGY100T65SCDT-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(13) "FGY100T65SCDT"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "51.900000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "FS3TIGBT TO247 100A 650V"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "650V"
["dl_jdj"]=>
string(4) "200A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "300A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(17) "1.9V @ 15V,100A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "750W"
["kgnl"]=>
string(31) "5.4mJ(开),3.8mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "157nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "84ns/216ns"
["cstj"]=>
string(30) "400V,100A,4.7 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "62ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910447"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
}
|
型号: FGY100T65SCDT复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGY100T65SCDT' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGY100T65SCDT' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
FS3TIGBT TO247 100A 650V
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A
功率 - 最大值:750W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1682
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGY100T65SCDT' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1684"
["pdf_add"]=>
string(55) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB50N60L2W-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-247-3.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(13) "NGTB50N60L2WG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "54.310000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(19) "IGBT 600V 50A TO247"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "600V"
["dl_jdj"]=>
string(4) "100A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "200A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "1.8V @ 15V,50A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "500W"
["kgnl"]=>
string(33) "800µJ(开),600µJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "310nC"
["td_kg_z"]=>
string(11) "110ns/270ns"
["cstj"]=>
string(28) "400V,50A,10 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "67ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(6) "TO-247"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910447"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: NGTB50N60L2WG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB50N60L2WG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB50N60L2WG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 600V 50A TO247
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A
功率 - 最大值:500W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-1684
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB50N60L2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1685"
["pdf_add"]=>
string(58) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGA50N100BNTD2-D.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(68) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-3P-3,TO-247-3.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(14) "FGA50N100BNTD2"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "54.520000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "IGBT 1000V 50A 156W TO3P"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(13) "NPT 和沟道"
["dy_jsjjc"]=>
string(5) "1000V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "50A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "200A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.9V @ 15V,60A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "156W"
["kgnl"]=>
string(1) "-"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "257nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "34ns/243ns"
["cstj"]=>
string(28) "600V,60A,10 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "75ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(17) "TO-3P-3,SC-65-3"
["gysqjfz"]=>
string(5) "TO-3P"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910447"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: FGA50N100BNTD2复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA50N100BNTD2' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGA50N100BNTD2' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):1000V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A
功率 - 最大值:156W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-3P
料号:JTG14-1685
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGA50N100BNTD2' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1686"
["pdf_add"]=>
string(58) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH40T120SMDL4-D.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(81) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;-MKT-TO247A04;-;-4.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(14) "FGH40T120SMDL4"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "55.290000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(30) "IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(5) "1200V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "80A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "160A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.4V @ 15V,40A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "555W"
["kgnl"]=>
string(33) "2.24mJ(开),1.02mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "370nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "44ns/464ns"
["cstj"]=>
string(28) "600V,40A,10 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "65ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-4"
["gysqjfz"]=>
string(6) "TO-247"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910447"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: FGH40T120SMDL4复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T120SMDL4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH40T120SMDL4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值:555W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-1686
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH40T120SMDL4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1687"
["pdf_add"]=>
string(77) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Fairchild%20PDFs/HGTG18N120BN.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AB-EP.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(12) "HGTG18N120BN"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "55.460000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(25) "IGBT 1200V 54A 390W TO247"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(3) "NPT"
["dy_jsjjc"]=>
string(5) "1200V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "54A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "165A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.7V @ 15V,18A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "390W"
["kgnl"]=>
string(32) "800µJ(开),1.8mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "165nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "23ns/170ns"
["cstj"]=>
string(27) "960V,18A,3 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(27) "960V,18A,3 欧姆,15V"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910447"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: HGTG18N120BN复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG18N120BN' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HGTG18N120BN' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 1200V 54A 390W TO247
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A
功率 - 最大值:390W
输入类型:标准
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丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1687
包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HGTG18N120BN' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1689"
["pdf_add"]=>
string(57) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH75T65SQDNL4-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(64) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/488;340CJ;;4.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(14) "FGH75T65SQDNL4"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "63.590000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(25) "650V/75 FAST IGBT FSIII T"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "650V"
["dl_jdj"]=>
string(4) "200A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "200A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.1V @ 15V,75A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "375W"
["kgnl"]=>
string(33) "1.25mJ(开),1.26mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "152nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "44ns/208ns"
["cstj"]=>
string(28) "400V,75A,10 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(5) "134ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-4"
["gysqjfz"]=>
string(9) "TO-247-4L"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "4"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910448"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
}
|
型号: FGH75T65SQDNL4复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH75T65SQDNL4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH75T65SQDNL4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
650V/75 FAST IGBT FSIII T
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
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IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值:375W
输入类型:标准
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丝印:
外壳:
封装:TO-247-4L
料号:JTG14-1689
包装:
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH75T65SQDNL4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
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array(65) {
["id"]=>
string(4) "1691"
["pdf_add"]=>
string(60) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AFGY160T65SPD-B4-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(16) "AFGY160T65SPD-B4"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "71.040000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(32) "IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE"
["xl"]=>
string(20) "Automotive, AEC-Q100"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(18) "沟槽型场截止"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "650V"
["dl_jdj"]=>
string(4) "240A"
["dl_jdjmc"]=>
string(4) "480A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(18) "2.05V @ 15V,160A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "882W"
["kgnl"]=>
string(32) "12.4mJ(开),5.7mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "245nC"
["td_kg_z"]=>
string(9) "53ns/98ns"
["cstj"]=>
string(27) "400V,160A,5欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(5) "132ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910448"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
}
|
型号: AFGY160T65SPD-B4复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFGY160T65SPD-B4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AFGY160T65SPD-B4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A
功率 - 最大值:882W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1691
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AFGY160T65SPD-B4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1692"
["pdf_add"]=>
string(55) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FGH30N60LSD-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(73) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/TO-247-3-AD-EP.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(13) "FGH30N60LSDTU"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "73.490000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(21) "IGBT 600V 60A TO247-3"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(1) "-"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "600V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "60A"
["dl_jdjmc"]=>
string(3) "90A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "1.4V @ 15V,30A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "480W"
["kgnl"]=>
string(30) "1.1mJ(开),21mJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(5) "225nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "18ns/250ns"
["cstj"]=>
string(29) "400V,30A,6.8 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "35ns"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-247-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-247-3"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910448"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: FGH30N60LSDTU复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH30N60LSDTU' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FGH30N60LSDTU' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 600V 60A TO247-3
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值:480W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:TO-247-3
料号:JTG14-1692
包装:
|
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FGH30N60LSDTU' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "1735"
["pdf_add"]=>
string(58) "http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NGTB10N60R2DT4G-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(61) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/DPAK_369C.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(15) "NGTB10N60R2DT4G"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(18) "IGBT 600V 20A DPAK"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(1) "-"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "600V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "20A"
["dl_jdjmc"]=>
string(3) "40A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(16) "2.1V @ 15V,10A"
["gx_zdz"]=>
string(3) "72W"
["kgnl"]=>
string(33) "412µJ(开),140µJ(关)"
["sclx"]=>
string(6) "标准"
["sjdh"]=>
string(4) "53nC"
["td_kg_z"]=>
string(10) "48ns/120ns"
["cstj"]=>
string(28) "300V,10A,30 欧姆,15V"
["fxhfsj"]=>
string(4) "90ns"
["gzwd"]=>
string(14) "175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(46) "TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63"
["gysqjfz"]=>
string(4) "DPAK"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910492"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: NGTB10N60R2DT4G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB10N60R2DT4G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGTB10N60R2DT4G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 600V 20A DPAK
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A *功率 - 最大值:72W 开关能量:412µJ(开),140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/120ns 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
|
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A
功率 - 最大值:72W
输入类型:标准
|
丝印:
外壳:
封装:DPAK
料号:JTG14-1735
包装:
|
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB10N60R2DT4G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "2259"
["pdf_add"]=>
string(57) "https://www.onsemi.com/pub/Collateral/ISL9V5036S3ST-D.PDF"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(78) "//media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/261;MKT-TO263A02;;2.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(12) "ISL9V5036S3S"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(26) "IGBT 390V 46A 250W TO263AB"
["xl"]=>
string(10) "EcoSPARK®"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(1) "-"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "390V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "46A"
["dl_jdjmc"]=>
string(3) "46A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(15) "1.6V @ 4V,10A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "250W"
["kgnl"]=>
string(1) "-"
["sclx"]=>
string(6) "逻辑"
["sjdh"]=>
string(4) "32nC"
["td_kg_z"]=>
string(9) "-/10.8µs"
["cstj"]=>
string(20) "300V,1 千欧,5V"
["fxhfsj"]=>
string(20) "300V,1 千欧,5V"
["gzwd"]=>
string(23) "-40°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(51) "TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-263AB"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910788"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
}
|
型号: ISL9V5036S3S复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL9V5036S3S' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL9V5036S3S' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 390V 46A 250W TO263AB
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A *功率 - 最大值:72W 开关能量:412µJ(开),140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/120ns 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
|
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):390V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A
功率 - 最大值:250W
输入类型:逻辑
|
丝印:
外壳:
封装:TO-263AB
料号:JTG14-2259
包装:
|
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL9V5036S3S' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "2264"
["pdf_add"]=>
string(86) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/MGP15N40CL-D.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(88) "https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2500/3757~TO220AB-L~~3.jpg"
["images"]=>
string(60) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/TO-220-3.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(10) "MGP15N40CL"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1694614852"
["ms"]=>
string(26) "IGBT 440V 15A 150W TO220AB"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(1) "-"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "440V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "15A"
["dl_jdjmc"]=>
string(3) "50A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(15) "2.9V @ 4V,25A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "150W"
["kgnl"]=>
string(1) "-"
["sclx"]=>
string(6) "逻辑"
["sjdh"]=>
string(6) "逻辑"
["td_kg_z"]=>
string(6) "-/4µs"
["cstj"]=>
string(22) "300V,6.5A,1 千欧"
["fxhfsj"]=>
string(22) "300V,6.5A,1 千欧"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(6) "通孔"
["fz_wk"]=>
string(8) "TO-220-3"
["gysqjfz"]=>
string(8) "TO-220AB"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(1) "1"
["gl_pin"]=>
string(1) "3"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910789"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: MGP15N40CL复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MGP15N40CL' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MGP15N40CL' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 440V 15A 150W TO220AB
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A *功率 - 最大值:72W 开关能量:412µJ(开),140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/120ns 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 4V,25A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:-/4µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
|
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):440V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 4V,25A
功率 - 最大值:150W
输入类型:逻辑
|
丝印:
外壳:
封装:TO-220AB
料号:JTG14-2264
包装:
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MGP15N40CL' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "2265"
["pdf_add"]=>
string(83) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/NGx15N41x.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(61) "//media.digikey.com/Renders/On%20Semi%20Renders/DPAK_369C.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(12) "NGD15N41CLT4"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(23) "IGBT 440V 15A 107W DPAK"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(1) "-"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "440V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "15A"
["dl_jdjmc"]=>
string(3) "50A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(15) "2.2V @ 4V,10A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "107W"
["kgnl"]=>
string(1) "-"
["sclx"]=>
string(6) "逻辑"
["sjdh"]=>
string(6) "逻辑"
["td_kg_z"]=>
string(6) "-/4µs"
["cstj"]=>
string(22) "300V,6.5A,1 千欧"
["fxhfsj"]=>
string(22) "300V,6.5A,1 千欧"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(46) "TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63"
["gysqjfz"]=>
string(4) "DPAK"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910789"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: NGD15N41CLT4复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGD15N41CLT4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGD15N41CLT4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 440V 15A 107W DPAK
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A *功率 - 最大值:72W 开关能量:412µJ(开),140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/120ns 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 4V,25A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:-/4µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 4V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:-/4µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
|
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):440V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 4V,10A
功率 - 最大值:107W
输入类型:逻辑
|
丝印:
外壳:
封装:DPAK
料号:JTG14-2265
包装:
|
|
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGD15N41CLT4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额:
|
|
array(65) {
["id"]=>
string(4) "2266"
["pdf_add"]=>
string(96) "https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ON%20Semiconductor%20PDFs/NGD_NGB_NGP15N41CL_ACL.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(83) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/D%C2%B2Pak,TO-263_418AA-01.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(12) "NGB15N41CLT4"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "IGBT 440V 15A 107W D2PAK"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(16) "ON Semiconductor"
["igbtlx"]=>
string(1) "-"
["dy_jsjjc"]=>
string(4) "440V"
["dl_jdj"]=>
string(3) "15A"
["dl_jdjmc"]=>
string(3) "50A"
["bt_vge_zdz"]=>
string(15) "2.2V @ 4V,10A"
["gx_zdz"]=>
string(4) "107W"
["kgnl"]=>
string(1) "-"
["sclx"]=>
string(6) "逻辑"
["sjdh"]=>
string(6) "逻辑"
["td_kg_z"]=>
string(6) "-/4µs"
["cstj"]=>
string(22) "300V,6.5A,1 千欧"
["fxhfsj"]=>
string(22) "300V,6.5A,1 千欧"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 175°C(TJ)"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(51) "TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB"
["gysqjfz"]=>
string(5) "D2PAK"
["tag"]=>
string(1) " "
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "135"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(16) "golon_jtg_ugbt_d"
["ch_bm"]=>
string(31) "晶体管 - UGBT,MOSFET - 单"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597910789"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
["spq"]=>
NULL
["bz"]=>
string(0) ""
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
}
|
型号: NGB15N41CLT4复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGB15N41CLT4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NGB15N41CLT4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述:
IGBT 440V 15A 107W D2PAK
参数:
*IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.68mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:42ns/216ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,75A *功率 - 最大值:452W 开关能量:2.7mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:250nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/138ns 测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:313W 开关能量:1.42mJ(开),1.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:169nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/151ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):535ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A *功率 - 最大值:110W 开关能量:570µJ(开),590µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:175nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/90ns 测试条件:300V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):94ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):300V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:463W 开关能量:130µJ(开),92µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/135ns 测试条件:180V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):180V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.61V @ 15V,40A *功率 - 最大值:417W 开关能量:1.17mJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:228nC 25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):73ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,100A *功率 - 最大值:750W 开关能量:5.4mJ(开),3.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:157nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/216ns 测试条件:400V,100A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):62ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:800µJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):67ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A *功率 - 最大值:156W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:257nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):75ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:2.24mJ(开),1.02mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:370nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/464ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):65ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):165A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,18A *功率 - 最大值:390W 开关能量:800µJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:165nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/170ns 测试条件:960V,18A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,18A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A *功率 - 最大值:375W 开关能量:1.25mJ(开),1.26mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:152nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/208ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):480A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A *功率 - 最大值:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:245nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,5欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:480W 开关能量:1.1mJ(开),21mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A *功率 - 最大值:72W 开关能量:412µJ(开),140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:53nC 25°C 时 Td(开/关)值:48ns/120ns 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 4V,25A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:-/4µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 4V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:-/4µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 4V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:-/4µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):440V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 4V,10A
功率 - 最大值:107W
输入类型:逻辑
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丝印:
外壳:
封装:D2PAK
料号:JTG14-2266
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGB15N41CLT4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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