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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: FDG6304P-VB复制
品牌: VBsemi(微碧半导体)复制
描述: 2个P沟道,-20V,-1.5A,RDS(ON),230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V);SC70-6
封装:SC70-6
fet 类型:
fet 功能:
漏源极电压(vdss):
电流 - 连续漏极(id):
功率 - 最大值:
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-6545
单价:
10+:0.7200
750+:0.6900
1500+:0.6420
3000+:0.6390
最小起订:
包装: 3000个/
总额:
状态: 在售
型号: FDG6304P复制
品牌: Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
封装:SC-70-6 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 个 P 沟道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):25V
电流 - 连续漏极(id):410mA
功率 - 最大值:300mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-260
单价: 0.6390
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: FDG6304P_D87Z复制
品牌: Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
封装:SC-70-6 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 个 P 沟道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):25V
电流 - 连续漏极(id):410mA
功率 - 最大值:300mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-2174
单价: 0.6390
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: FDG6304P-F169复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: INTEGRATED CIRCUIT
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 个 P 沟道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):25V
电流 - 连续漏极(id):410mA(Ta)
功率 - 最大值:300mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4091
单价: 0.6390
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: FDG6304P-X复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: INTEGRATED CIRCUIT
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
fet 功能:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4092
单价: 0.6390
最小起订:
包装:
总额:
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