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品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TSOP-6-6
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
描述：
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
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Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
20V
电流-连续漏极(id):
4.7A（Ta）
Vgs(最大值):
±12V
功率-最大值:
2W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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包装量:
修改
起订量:10
修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL211SPH6327XTSA1' ) LIMIT 1
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品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TSOP-6-6
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
描述：
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
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Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
20V
电流-连续漏极(id):
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工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL211SP' ) LIMIT 1
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品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TSOP-6-6
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
描述：
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
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Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
20V
电流-连续漏极(id):
4.7A（Ta）
Vgs(最大值):
±12V
功率-最大值:
2W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL211SPL6327HTSA1' ) LIMIT 1
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select a.wl_num,a.parent_id,GROUP_CONCAT(b.cat_name,' ',a.cat_name) as lb,a.action_name,a.rate,a.rate_hot,ROUND(sum(a.rate+a.rate_hot/100),4) as moq_rate from golon_ics_category a left join golon_ics_category b on a.parent_id=b.id where a.mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d' array(1) {
[0]=>
array(7) {
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SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1
品牌：
Infineon/英飞凌复制
封装：PG-TSOP-6-6
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
描述：
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
|
Fet类型:
P 通道
漏源极电压(vdss):
20V
电流-连续漏极(id):
4.7A（Ta）
Vgs(最大值):
±12V
功率-最大值:
2W（Ta）
工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ）
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修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL211SPT' ) LIMIT 1
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