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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 数量 操作
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型号： FDG6304P复制
状态： 在售 修改
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封装：SC-70-6
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
描述： MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
Fet类型: 2 个 P 沟道（双）
漏源极电压(vdss): 25V
电流-连续漏极(id): 410mA
最大功率值: 300mW
Fet功能: 逻辑电平门
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级：-
标识：(VIP会员显示)
量大可议价
包装量: 修改
个
起订量:10 修改
咨询客服
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型号： FDG6304P_D87Z复制
状态： 在售 修改
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封装：SC-70-6
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
描述： MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
Fet类型: 2 个 P 沟道（双）
漏源极电压(vdss): 25V
电流-连续漏极(id): 410mA
最大功率值: 300mW
Fet功能: 逻辑电平门
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级：-
标识：(VIP会员显示)
量大可议价
包装量: 修改
个
起订量:10 修改
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型号： FDG6304P-F169复制
状态： 在售 修改
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 品牌： ONSEMI/安森美复制
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
描述： INTEGRATED CIRCUIT
Fet类型: 2 个 P 沟道（双）
漏源极电压(vdss): 25V
电流-连续漏极(id): 410mA（Ta）
最大功率值: 300mW
Fet功能: 逻辑电平门
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级：-
标识：(VIP会员显示)
量大可议价
包装量: 修改
个
起订量:10 修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6304P-F169' ) LIMIT 1
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型号： FDG6304P-X复制
状态： 在售 修改
SELECT `id`,`MFGR_gj`,`MFGR_qc`,`MFGR_en`,`MFGR_jx`,`MFGR_marking`,`MFGR_stock` FROM `golon_zzs_xq` WHERE ( `MFGR_qc` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 品牌： ONSEMI/安森美复制
封装：-
外壳：-
描述： INTEGRATED CIRCUIT
Fet类型: -
漏源极电压(vdss): -
电流-连续漏极(id): -
最大功率值: -
Fet功能: -
工作温度: -
等级：-
量大可议价
包装量: 修改
个
起订量:10 修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6304P-X' ) LIMIT 1
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