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BC846B/DG/B4R数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 数量 操作
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型号: BC846B/DG/B4R复制
状态: 在售 修改
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封装:TO-236AB
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述: TRANSISTOR GEN PURP
晶体管类型: NPN
电压-集射极击穿(最大值): 65V
电流-集电极(ic)(最大值): 100mA
频率-跃迁: 100MHz
功率-最大值: 250mW
电流-集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同?ic,vce时的dc电流增益(hfe)(最小值): 200 @ 2mA,5V
量大可议价
包装量: 修改
起订量:50 修改
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SELECT count(a.gys_id) as c FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC846B/DG/B4R' ) LIMIT 1
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