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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度(最小值) 电流 - 输出高,低 上升/下降时间(典型值) 脉宽失真(最大) 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) 电流 - 峰值输出 电压 - 正向(vf)(典型值) 电流 - DC 正向(If) 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
TLP5214(TP,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SO
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):50ns 上升/下降时间(典型值):32ns,18ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):150ns,150ns 电流 - 输出高,低:3A,3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.7V( 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CQC,CSA,cUL,UL 包装:- 数量:
FOD8333V
10+: 22.2999 100+: 21.9017 1000+: 21.7026 3000+: 21.1052
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:IEC/EN/DIN,UL 包装:- 数量:
FOD8333
10+: 22.2999 100+: 21.9017 1000+: 21.7026 3000+: 21.1052
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRVR 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
FOD8332
10+: 49.0800 100+: 48.2035 1000+: 47.7653 3000+: 46.4507
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
FOD8316V
10+: 46.1691 100+: 45.3446 1000+: 44.9324 3000+: 43.6957
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):34ns,34ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:IEC/EN/DIN,UL 包装:- 数量:
FOD8332R2V
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:IEC/EN/DIN,UL 包装:- 数量:
ISO5452DWR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Texas Instruments 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):50kV/µs 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):18ns,20ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):110ns,110ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 电流 - 峰值输出:2.7A, 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:
FOD8333R2V
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:IEC/EN/DIN,UL 包装:- 数量:
FOD8333R2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
FOD8332R2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
ISO5500DWR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Texas Instruments 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 4.243KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):55ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA,UL,VDE 包装:- 数量:
HCPL-315J-500E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽),12 引线 16-SO
描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):15kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:500mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向(vf)(典型值):1.6V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽),12 引线 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA,IEC/EN/DIN, 包装:- 数量:
FOD8318V
10+: 51.7124 100+: 50.7890 1000+: 50.3273 3000+: 48.9421
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):34ns,34ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:IEC/EN/DIN,UL 包装:- 数量:
FOD8318R2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):34ns,34ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
ACPL-339J-500E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Broadcom Limited 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SO
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs 脉宽失真(最大):150ns 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:1A,1A 电流 - 峰值输出:5.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.55V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA,IEC/EN/DIN, 包装:- 数量:
FOD8318R2V
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):34ns,34ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:IEC/EN/DIN,UL 包装:- 数量:
ACPL-38JT-500E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Broadcom Limited 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SO
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):15kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA,IEC/EN/DIN, 包装:- 数量:
FOD3184S
10+: 23.5148 100+: 23.0949 1000+: 22.8850 3000+: 22.2551
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Fairchild Semiconductor 8-SMD,鸥翼 8-SMD
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):65ns 上升/下降时间(典型值):38ns,24ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):210ns,210ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.43V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
HCPL-3120-000E
10+: 30.5136 100+: 29.9687 1000+: 29.6963 3000+: 28.8790
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Broadcom Limited 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 8-DIP
描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.5V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA,UR 包装:- 数量:
HCPL-316J
10+: 89.0350 100+: 87.4451 1000+: 86.6501 3000+: 84.2652
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Broadcom Limited 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SO
描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):15kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA,IEC/EN/DIN, 包装:- 数量:
SI8261ACC-C-IS
10+: 12.9218 100+: 12.6910 1000+: 12.5757 3000+: 12.2295
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Silicon Labs 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):28ns 上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,50ns 电流 - 输出高,低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向(vf)(典型值):2.8V( 电流 - dc 正向(if):30mA 电压 - 电源:13.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:
VO3120
10+: 17.7817 100+: 17.4642 1000+: 17.3054 3000+: 16.8291
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Vishay 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 8-DIP
描述:OPTOISO 5.3KV 1CH GATE DRVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5300Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs 脉宽失真(最大):200ns 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):400ns,400ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.6V( 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 32V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:cUR,UR 包装:- 数量:
IX3180G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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IXYS Integrated Circuits Division 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 8-DIP
描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):10kV/µs 脉宽失真(最大):65ns 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):200ns,200ns 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.35V 电流 - dc 正向(if):20mA 电压 - 电源:10V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:UR 包装:- 数量:
FOD3150
10+: 16.1364 100+: 15.8483 1000+: 15.7042 3000+: 15.2720
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Fairchild Semiconductor 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 8-DIP
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):300ns 上升/下降时间(典型值):60ns,60ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns 电流 - 输出高,低:1A,1A 电流 - 峰值输出:1.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.5V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
FOD3120
10+: 17.3008 100+: 16.9918 1000+: 16.8373 3000+: 16.3739
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Fairchild Semiconductor 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 8-DIP
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):60ns,60ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):400ns,400ns 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.5V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
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