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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
TLP5214(TP,E
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SO |
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):50ns
上升/下降时间(典型值):32ns,18ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):150ns,150ns
电流 - 输出高,低:3A,3A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.7V(
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 110°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SO
标签:
认可:CQC,CSA,cUL,UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8333V
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:IEC/EN/DIN,UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8333
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRVR 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8332
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8316V
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):34ns,34ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:IEC/EN/DIN,UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8332R2V
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:IEC/EN/DIN,UL
包装:-
数量:
|
|
ISO5452DWR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Texas Instruments | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5700Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):50kV/µs
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):18ns,20ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):110ns,110ns
电流 - 输出高,低:1.5A,
电流 - 峰值输出:2.7A,
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:
|
|
FOD8333R2V
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:IEC/EN/DIN,UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8333R2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8332R2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:UL
包装:-
数量:
|
|
ISO5500DWR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Texas Instruments | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 4.243KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):55ns,10ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CSA,UL,VDE
包装:-
数量:
|
|
HCPL-315J-500E
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽),12 引线 | 16-SO |
描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):15kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):100ns,100ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:500mA
电流 - 峰值输出:600mA
电压 - 正向(vf)(典型值):1.6V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽),12 引线
供应商器件封装:16-SO
标签:
认可:CSA,IEC/EN/DIN,
包装:-
数量:
|
|
FOD8318V
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):34ns,34ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:IEC/EN/DIN,UL
包装:-
数量:
|
|
FOD8318R2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):34ns,34ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:UL
包装:-
数量:
|
|
ACPL-339J-500E
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SO |
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs
脉宽失真(最大):150ns
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns
电流 - 输出高,低:1A,1A
电流 - 峰值输出:5.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.55V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 105°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SO
标签:
认可:CSA,IEC/EN/DIN,
包装:-
数量:
|
|
FOD8318R2V
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):34ns,34ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:IEC/EN/DIN,UL
包装:-
数量:
|
|
ACPL-38JT-500E
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SO |
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):15kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):100ns,100ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SO
标签:
认可:CSA,IEC/EN/DIN,
包装:-
数量:
|
|
FOD3184S
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 8-SMD,鸥翼 | 8-SMD |
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):65ns
上升/下降时间(典型值):38ns,24ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):210ns,210ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.43V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SMD,鸥翼
供应商器件封装:8-SMD
标签:
认可:UL
包装:-
数量:
|
|
HCPL-3120-000E
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) | 8-DIP |
描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):100ns,100ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.5V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM)
供应商器件封装:8-DIP
标签:
认可:CSA,UR
包装:-
数量:
|
|
HCPL-316J
Datasheet 规格书
ROHS
|
Broadcom Limited | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SO |
描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO
*技术:光学耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):15kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):100ns,100ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SO
标签:
认可:CSA,IEC/EN/DIN,
包装:-
数量:
|
|
SI8261ACC-C-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):28ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,50ns
电流 - 输出高,低:400mA
电流 - 峰值输出:600mA
电压 - 正向(vf)(典型值):2.8V(
电流 - dc 正向(if):30mA
电压 - 电源:13.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)
供应商器件封装:8-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:
|
|
VO3120
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) | 8-DIP |
描述:OPTOISO 5.3KV 1CH GATE DRVR 8DIP
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5300Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):25kV/µs
脉宽失真(最大):200ns
上升/下降时间(典型值):100ns,100ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):400ns,400ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.6V(
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 32V
工作温度:-40°C ~ 110°C
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM)
供应商器件封装:8-DIP
标签:
认可:cUR,UR
包装:-
数量:
|
|
IX3180G
Datasheet 规格书
ROHS
|
IXYS Integrated Circuits Division | 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) | 8-DIP |
描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):10kV/µs
脉宽失真(最大):65ns
上升/下降时间(典型值):25ns,25ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):200ns,200ns
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.35V
电流 - dc 正向(if):20mA
电压 - 电源:10V ~ 20V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM)
供应商器件封装:8-DIP
标签:
认可:UR
包装:-
数量:
|
|
FOD3150
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) | 8-DIP |
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):300ns
上升/下降时间(典型值):60ns,60ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:1A,1A
电流 - 峰值输出:1.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.5V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM)
供应商器件封装:8-DIP
标签:
认可:UL
包装:-
数量:
|
|
FOD3120
Datasheet 规格书
ROHS
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Fairchild Semiconductor | 8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM) | 8-DIP |
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):60ns,60ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):400ns,400ns
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:3A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.5V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM)
供应商器件封装:8-DIP
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认可:UL
包装:-
数量:
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