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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度(最小值) 电流 - 输出高,低 上升/下降时间(典型值) 脉宽失真(最大) 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) 电流 - 峰值输出 电压 - 正向(vf)(典型值) 电流 - DC 正向(If) 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
1EDI20H12AHXUMA1
10+: 10.8209 100+: 10.6277 1000+: 10.5310 3000+: 10.2412
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Infineon Technologies 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度(最小值):1 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):10ns,9ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:10ns, 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1ED3860MU12MXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies - -
描述:1ED3860MU12MXUMA1 *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
1ED3890MU12MXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Infineon Technologies - -
描述:1ED3890MU12MXUMA1 *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
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