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辰科物联
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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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1EDI20H12AHXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
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Infineon Technologies | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | PG-DSO-8-59 |
描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:1
*共模瞬态抗扰度(最小值):1
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):10ns,9ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:10ns,
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:13V ~ 35V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-8-59
标签:
认可:PG-DSO-8-59
包装:-
数量:-
|
|
1ED3860MU12MXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:1ED3860MU12MXUMA1
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
1ED3890MU12MXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:1ED3890MU12MXUMA1
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
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