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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度(最小值) 电流 - 输出高,低 上升/下降时间(典型值) 脉宽失真(最大) 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) 电流 - 峰值输出 电压 - 正向(vf)(典型值) 电流 - DC 正向(If) 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
SI823H5BD-IS3
10+: 42.5748 100+: 41.8145 1000+: 41.4344 3000+: 40.2940
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:14-SOIC 包装:- 数量:-
SI823H6BD-IS3
10+: 42.5748 100+: 41.8145 1000+: 41.4344 3000+: 40.2940
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:14-SOIC 包装:- 数量:-
SI823H7BD-IS3
10+: 42.5748 100+: 41.8145 1000+: 41.4344 3000+: 40.2940
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:14-SOIC 包装:- 数量:-
SI823H8BD-IS3
10+: 42.5748 100+: 41.8145 1000+: 41.4344 3000+: 40.2940
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:14-SOIC 包装:- 数量:-
SI82520AD-IS3
10+: 44.8022 100+: 44.0022 1000+: 43.6022 3000+: 42.4021
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Silicon Labs - -
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI82521AD-IS3
10+: 44.8022 100+: 44.0022 1000+: 43.6022 3000+: 42.4021
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Silicon Labs - -
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI82520BD-IS3
10+: 44.8022 100+: 44.0022 1000+: 43.6022 3000+: 42.4021
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Silicon Labs - -
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI82520CD-IS3
10+: 44.8022 100+: 44.0022 1000+: 43.6022 3000+: 42.4021
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Silicon Labs - -
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI82521BD-IS3
10+: 44.8022 100+: 44.0022 1000+: 43.6022 3000+: 42.4021
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Silicon Labs - -
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI82521CD-IS3
10+: 44.8022 100+: 44.0022 1000+: 43.6022 3000+: 42.4021
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Silicon Labs - -
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI8287BD-ISR
10+: 50.1431 100+: 49.2477 1000+: 48.8000 3000+: 47.4568
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Silicon Labs - -
描述:IC AMP DVR 4.0A DESAT DET 20SOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI8287CD-ISR
10+: 50.1431 100+: 49.2477 1000+: 48.8000 3000+: 47.4568
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Silicon Labs - -
描述:IC AMP DVR 4.0A DESAT DET 20SOIC *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
FOD8334R2
10+: 64.5709 100+: 63.4179 1000+: 62.8413 3000+: 61.1118
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ON Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SO
描述:INPUT LED DRIVE 3.0A GATE DRIVER *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:3A,3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-
1EDC05I12AHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):2500Vrms 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):10ns,9ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:10ns, 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:3.1V ~ 17V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1ED020I12FTXUMA1
10+: 17.9589 100+: 17.6382 1000+: 17.4778 3000+: 16.9968
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Infineon Technologies 16-SOIC(7.50MM 宽) PG-DSO-16-15
描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO16 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):4500Vrms 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):30ns,20ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-16-15 标签: 认可:PG-DSO-16-15 包装:- 数量:-
1ED020I12FXUMA2
10+: 28.8683 100+: 28.3528 1000+: 28.0951 3000+: 27.3218
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Infineon Technologies 16-SOIC(7.50MM 宽) PG-DSO-16-15
描述:DRIVER IC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):4500Vrms 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):60ns,60ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:13V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-16-15 标签: 认可:PG-DSO-16-15 包装:- 数量:-
1ED020I12FA2XUMA2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) PG-DSO-20-77
描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO20 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):4500Vrms 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):30ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:2A,2A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:13V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-20-77 标签: 认可:PG-DSO-20-77 包装:- 数量:-
1EDI20I12SVXUMA1
10+: 33.8168 100+: 33.2130 1000+: 32.9110 3000+: 32.0052
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Infineon Technologies - -
描述:IC GATE DRIVER HVIC DSO36 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):5000Vrms 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SID1132K-TL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Power Integrations 16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 eSOP-R16B
描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):450ns,450ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):340ns,330ns 电流 - 输出高,低:1.2A, 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:eSOP-R16B 包装:- 数量:-
1EDU20I12SVXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies - -
描述:IC IGBT GATE DRIVER 36DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):5000Vrms 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
1EDS20I12SVXUMA1
10+: 41.4484 100+: 40.7083 1000+: 40.3382 3000+: 39.2280
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Infineon Technologies - -
描述:IC GATE DRIVER HVIC DSO36 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):5000Vrms 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SID1182K-TL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Power Integrations 16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 eSOP-R16B
描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):90ns,81ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):340ns,330ns 电流 - 输出高,低:3.6A, 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:eSOP-R16B 包装:- 数量:-
BM60016FV-CE2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 表面贴装型 10-SSOP
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 10SSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:3A,3A 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:表面贴装型 供应商器件封装:10-SSOP 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
BM60055FV-CE2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 28-SSOP(0.315",8.00mm 宽) 28-SSOP
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 28SSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):30ns,30ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:9V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SSOP(0.315",8.00mm 宽) 供应商器件封装:28-SSOP 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
TLP155(E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC(0.179",4.55mm 宽),5 引线 6-SO,5 引线
描述:OPTOCOUPLER TRANS *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):50ns 上升/下降时间(典型值):35ns,15ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):200ns,200ns 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向(vf)(典型值):1.57V 电流 - dc 正向(if):20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC(0.179",4.55mm 宽),5 引线 供应商器件封装:6-SO,5 引线 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
  共有1903个记录    每页显示25条,本页1826-1850条    74/77页    首 页    上一页   70  71  72  73  74  75  76  77   下一页    尾 页      
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