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辰科物联
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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
SI823H5BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H6BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H7BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H8BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI82520AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82521AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82520BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82520CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82521BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82521CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI8287BD-ISR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:IC AMP DVR 4.0A DESAT DET 20SOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI8287CD-ISR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:IC AMP DVR 4.0A DESAT DET 20SOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
FOD8334R2
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SO |
描述:INPUT LED DRIVE 3.0A GATE DRIVER
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:3A,3A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SO
标签:
认可:UL
包装:-
数量:-
|
|
1EDC05I12AHXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | PG-DSO-8-59 |
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):2500Vrms
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):10ns,9ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:10ns,
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:3.1V ~ 17V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-8-59
标签:
认可:PG-DSO-8-59
包装:-
数量:-
|
|
1ED020I12FTXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 16-SOIC(7.50MM 宽) | PG-DSO-16-15 |
描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO16
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):4500Vrms
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):30ns,20ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-16-15
标签:
认可:PG-DSO-16-15
包装:-
数量:-
|
|
1ED020I12FXUMA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 16-SOIC(7.50MM 宽) | PG-DSO-16-15 |
描述:DRIVER IC
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):4500Vrms
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):60ns,60ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:13V ~ 20V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-16-15
标签:
认可:PG-DSO-16-15
包装:-
数量:-
|
|
1ED020I12FA2XUMA2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | PG-DSO-20-77 |
描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO20
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):4500Vrms
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):30ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:2A,2A
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:13V ~ 20V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-20-77
标签:
认可:PG-DSO-20-77
包装:-
数量:-
|
|
1EDI20I12SVXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IC GATE DRIVER HVIC DSO36
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):5000Vrms
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SID1132K-TL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Power Integrations | 16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 | eSOP-R16B |
描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):450ns,450ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):340ns,330ns
电流 - 输出高,低:1.2A,
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:22V ~ 28V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线
供应商器件封装:eSOP-R16B
标签:
认可:eSOP-R16B
包装:-
数量:-
|
|
1EDU20I12SVXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IC IGBT GATE DRIVER 36DSOP
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):5000Vrms
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
1EDS20I12SVXUMA1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Infineon Technologies | - | - |
描述:IC GATE DRIVER HVIC DSO36
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):5000Vrms
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SID1182K-TL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Power Integrations | 16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 | eSOP-R16B |
描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):90ns,81ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):340ns,330ns
电流 - 输出高,低:3.6A,
电流 - 峰值输出:8A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:22V ~ 28V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线
供应商器件封装:eSOP-R16B
标签:
认可:eSOP-R16B
包装:-
数量:-
|
|
BM60016FV-CE2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 表面贴装型 | 10-SSOP |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 10SSOP
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:3A,3A
电流 - 峰值输出:5A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:表面贴装型
供应商器件封装:10-SSOP
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
BM60055FV-CE2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 28-SSOP(0.315",8.00mm 宽) | 28-SSOP |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 28SSOP
*技术:磁耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):30ns,30ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:5A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:9V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:28-SSOP(0.315",8.00mm 宽)
供应商器件封装:28-SSOP
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
TLP155(E
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | 6-SOIC(0.179",4.55mm 宽),5 引线 | 6-SO,5 引线 |
描述:OPTOCOUPLER TRANS
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):50ns
上升/下降时间(典型值):35ns,15ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):200ns,200ns
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:600mA
电压 - 正向(vf)(典型值):1.57V
电流 - dc 正向(if):20mA
电压 - 电源:10V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-SOIC(0.179",4.55mm 宽),5 引线
供应商器件封装:6-SO,5 引线
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|