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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
SI823H8BD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H8CD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H9AD-IS4
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 8-SSO |
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:8-SSO
标签:
认可:8-SSO
包装:-
数量:-
|
|
SI823H9BD-IS4
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 8-SSO |
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:8-SSO
标签:
认可:8-SSO
包装:-
数量:-
|
|
SI823H9CD-IS4
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 8-SSO |
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:8-SSO
标签:
认可:8-SSO
包装:-
数量:-
|
|
SI8233AD-D-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8235BD-D-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82520AD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82520BD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82520CD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82521AD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82521BD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI82521CD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI8281BC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 20-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:20-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8282CC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 20-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:20-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8283BC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:24-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8283CC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:24-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H1AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H4AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H4CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H7AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H8AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H8CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H3BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H4BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|