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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
SI82397AD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82398BD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 8 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):55ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82391CD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 12 V UVLO DUAL ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:12.8V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82390AD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82394AD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 6 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):55ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82398BD4-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 8 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82393CD-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 12 V UVLO HS/LS ISOLATED GA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:12.8V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8233AD-D-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8233BD-D-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8235AD-D-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8235BD-D-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8238AD-D-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8238BD-D-IS3R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82393CD-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | - | - |
描述:IC DIGITAL ISOLATOR
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI823H1AB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H1BB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H1CB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H2AB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H2BB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H2CB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H3AB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H3BB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H3CB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H4AB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H4BB-IS1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns
电流 - 输出高,低:4A,4A
电流 - 峰值输出:6A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:5.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
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认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
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