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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度(最小值) 电流 - 输出高,低 上升/下降时间(典型值) 脉宽失真(最大) 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) 电流 - 峰值输出 电压 - 正向(vf)(典型值) 电流 - DC 正向(If) 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
SI82397AD-IS3R
10+: 26.9320 100+: 26.4510 1000+: 26.2106 3000+: 25.4892
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3250Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82398BD-IS3R
10+: 26.9320 100+: 26.4510 1000+: 26.2106 3000+: 25.4892
我要买
Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5 KV 8 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3250Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):55ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82391CD-IS3R
10+: 26.9320 100+: 26.4510 1000+: 26.2106 3000+: 25.4892
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5 KV 12 V UVLO DUAL ISOLATED GAT *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3250Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:12.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82390AD-IS3R
10+: 26.9320 100+: 26.4510 1000+: 26.2106 3000+: 25.4892
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3250Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82394AD-IS3R
10+: 26.9320 100+: 26.4510 1000+: 26.2106 3000+: 25.4892
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5 KV 6 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3250Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):55ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82398BD4-IS3R
10+: 26.9320 100+: 26.4510 1000+: 26.2106 3000+: 25.4892
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5 KV 8 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3250Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82393CD-IS3R
10+: 26.9320 100+: 26.4510 1000+: 26.2106 3000+: 25.4892
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:5 KV 12 V UVLO HS/LS ISOLATED GA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3250Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:12.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8233AD-D-IS3R
10+: 27.0206 100+: 26.5381 1000+: 26.2968 3000+: 25.5730
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8233BD-D-IS3R
10+: 27.0206 100+: 26.5381 1000+: 26.2968 3000+: 25.5730
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8235AD-D-IS3R
10+: 27.0206 100+: 26.5381 1000+: 26.2968 3000+: 25.5730
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8235BD-D-IS3R
10+: 27.0206 100+: 26.5381 1000+: 26.2968 3000+: 25.5730
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8238AD-D-IS3R
10+: 27.0206 100+: 26.5381 1000+: 26.2968 3000+: 25.5730
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Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8238BD-D-IS3R
10+: 27.0206 100+: 26.5381 1000+: 26.2968 3000+: 25.5730
我要买
Silicon Labs 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 14-SOIC
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82393CD-IS
10+: 27.6407 100+: 27.1471 1000+: 26.9003 3000+: 26.1600
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Silicon Labs - -
描述:IC DIGITAL ISOLATOR *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI823H1AB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H1BB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H1CB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
我要买
Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H2AB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
我要买
Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H2BB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
我要买
Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H2CB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H3AB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H3BB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H3CB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H4AB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI823H4BB-IS1R
10+: 27.7926 100+: 27.2963 1000+: 27.0481 3000+: 26.3037
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描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):30ns,58ns 电流 - 输出高,低:4A,4A 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:5.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
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