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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
SI8275ABD-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275AB-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275BBD-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275BB-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275DAD-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:1000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275DA-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:1000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275DBD-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275DB-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275GBD-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275GB-IM1R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
FOD8334
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SO |
描述:INPUT LED DRIVE 3.0A GATE DRIVER
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:4243Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):100ns
上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns
电流 - 输出高,低:3A,3A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V
电流 - dc 正向(if):25mA
电压 - 电源:3V ~ 15V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SO
标签:
认可:UL
包装:-
数量:-
|
|
SI8234BB-D-IM1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:ISOLATED GATE DRIVER
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8233AB-D-IM1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:2.5KV 5V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8233BB-D-IM1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:ISOLATED GATE DRIVER
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H9AD-IS4R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 8-SSO |
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:8-SSO
标签:
认可:8-SSO
包装:-
数量:-
|
|
SI823H9BD-IS4R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 8-SSO |
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:8-SSO
标签:
认可:8-SSO
包装:-
数量:-
|
|
SI823H9CD-IS4R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 8-SSO |
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:8-SSO
标签:
认可:8-SSO
包装:-
数量:-
|
|
SI8273ABD-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.6V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8273AB-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.6V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8274AB1-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):19ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.6V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8274AB4D-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):47ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.6V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8274GB1-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):19ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8274GB4D-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):47ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.2V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275ABD-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.6V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8275AB-IMR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VFLGA | 14-LGA(5x5) |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:4.6V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VFLGA
供应商器件封装:14-LGA(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|