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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度(最小值) 电流 - 输出高,低 上升/下降时间(典型值) 脉宽失真(最大) 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) 电流 - 峰值输出 电压 - 正向(vf)(典型值) 电流 - DC 正向(If) 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
SI8275ABD-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8275AB-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8275BBD-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8275BB-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8275DAD-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:1000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8275DA-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:1000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8275DBD-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8275DB-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8275GBD-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8275GB-IM1R
10+: 23.5022 100+: 23.0825 1000+: 22.8727 3000+: 22.2431
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
FOD8334
10+: 23.6161 100+: 23.1944 1000+: 22.9835 3000+: 22.3509
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ON Semiconductor 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SO
描述:INPUT LED DRIVE 3.0A GATE DRIVER *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):100ns 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):250ns,250ns 电流 - 输出高,低:3A,3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):1.45V 电流 - dc 正向(if):25mA 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-
SI8234BB-D-IM1
10+: 24.1097 100+: 23.6792 1000+: 23.4639 3000+: 22.8181
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:ISOLATED GATE DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8233AB-D-IM1
10+: 24.1097 100+: 23.6792 1000+: 23.4639 3000+: 22.8181
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:2.5KV 5V UVLO HS/LS ISOLATED GAT *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8233BB-D-IM1
10+: 24.1097 100+: 23.6792 1000+: 23.4639 3000+: 22.8181
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:ISOLATED GATE DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI823H9AD-IS4R
10+: 24.3881 100+: 23.9526 1000+: 23.7349 3000+: 23.0816
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Silicon Labs 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SSO
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8 *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:8-SSO 标签: 认可:8-SSO 包装:- 数量:-
SI823H9BD-IS4R
10+: 24.3881 100+: 23.9526 1000+: 23.7349 3000+: 23.0816
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Silicon Labs 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SSO
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8 *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:8-SSO 标签: 认可:8-SSO 包装:- 数量:-
SI823H9CD-IS4R
10+: 24.3881 100+: 23.9526 1000+: 23.7349 3000+: 23.0816
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Silicon Labs 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SSO
描述:5KV GATE DRIVER 8-SSO8 *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):- 传播延迟 tplh / tphl(最大值):- 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:8-SSO 标签: 认可:8-SSO 包装:- 数量:-
SI8273ABD-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
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Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8273AB-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
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Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8274AB1-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
我要买
Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):19ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8274AB4D-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
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Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):47ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8274GB1-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
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Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):19ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8274GB4D-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
我要买
Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):47ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8275ABD-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
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Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):200kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8275AB-IMR
10+: 24.5273 100+: 24.0893 1000+: 23.8703 3000+: 23.2134
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Silicon Labs 14-VFLGA 14-LGA(5x5)
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VFLGA 供应商器件封装:14-LGA(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
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