描述:DGTL ISO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1700VDC *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1700VDC *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1700VDC *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UR 包装:- 数量:-

描述:IPM DRIVER 10MB T&R *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:250ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:2.5mA 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.4V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UL 包装:- 数量:-

描述:IPM DRIVER WL T&R *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:250ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:2.5mA 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.4V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UL 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UR 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UR 包装:- 数量:-

描述:IPM DRIVER 1MB VDE 6SOIC *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:250ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:2.5mA 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.4V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UL，V 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UR 包装:- 数量:-

描述:IPM DRIVER 1MB VDE 6SOIC *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:250ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:2.5mA 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.4V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UL，V 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:IPM DRIVER 1MB 6SOIC *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:250ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:2.5mA 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.4V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UL，V 包装:- 数量:-

描述:IPM DRIVER 1MB 6SOIC *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:250ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:2.5mA 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.4V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UL，V 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:1700VDC *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SMDIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，60ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:400ns，400ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:16V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UL 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:45ns，45ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:45ns，45ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:45ns，45ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:45ns，45ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:45ns，45ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-