描述:IC POWER MANAGEMENT *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150V/ns 脉宽失真（最大）:30ns 上升/下降时间（典型值）:33ns，27ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:130ns，130ns 电流 - 输出高，低:10A，1 电流 - 峰值输出:10A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，TUV，UL， 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:18ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:110ns，110ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:2.7A， 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，TUV，UL， 包装:- 数量:-

描述:PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:5.5ns 上升/下降时间（典型值）:5ns，6ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:4A，6A 电流 - 峰值输出:4A，6A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.2V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:13ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，53ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:13ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，53ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:13ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，53ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:11.6V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:13ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，53ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:13ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，53ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:13ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，53ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:11.6V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:IGBT GATE DRIVER W/ SLEW RATE CO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:30ns 上升/下降时间（典型值）:17ns，17ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，48ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:2A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:IGBT GATE DRIVER W/ SLEW RATE CO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:30ns 上升/下降时间（典型值）:17ns，17ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，48ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:2A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:IGBT GATE DRIVER W/ SLEW RATE CO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:30ns 上升/下降时间（典型值）:17ns，17ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，48ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:2A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:11.6V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:110ns，110ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:2.7A， 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，TUV，UL， 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:110ns，110ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:2.7A， 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，TUV，UL， 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:16.5n 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，58ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:11.6V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:1/2 BRIDGE DRV ISO LOGIC INPUT U *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:16ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:33ns，44ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:1/2 BRIDGE DRV ISO LOGIC INPUT U *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:16ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:33ns，44ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-