描述:OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER 2.5A *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5300Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:35ns，35ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2.5A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.37V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:CQC， cUL， UL， V 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER 2.5A *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5300Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:35ns，35ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2.5A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.37V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:CQC， cUL， UL， V 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:IEC/EN/DIN，UR 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:3.6A， 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:eSOP-R16B 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER GATE DRIVE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:35ns，15ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.57V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:IGBT/MOSFET GATE DRIVE COUPLER; *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:500ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:700ns，700ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER SMD T&R *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:500ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:700ns，700ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU HOLE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER IGBT/MOSFE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，22ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:170ns，190ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.57V 电流 - dc 正向（if）:15mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.179"，4.55mm 宽），5 引线 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUL，UL 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER SMD GULL W *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU HOLE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:GATE DRIVE COUPLER; LOW INPUT CU *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:GATE DRIVE COUPLER; LOW INPUT CU *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:GATE DRIVE COUPLER; LOW INPUT CU *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1.2A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU-HOLE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:350ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:X36 PB-F PHOTOCOUPLER THRU HOLE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:500ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:700ns，700ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:GATE DRIVE COUPLER; LOW INPUT CU *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:GATE DRIVE COUPLER; LOW INPUT CU *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:GATE DRIVE COUPLER; LOW INPUT CU *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-