服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
SI82395AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82398AD4-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 6 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82396AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82396CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 12 V UVLO DUAL ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:12.8V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82391BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 8 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82394BD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5 KV 8 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3250Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):55ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8235AD-D-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8233BD-D-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8238AD-D-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8281CC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 20-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:20-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8284CC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:24-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8284BC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:24-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI823H1CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H2CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H3AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H3CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H5AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H5CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H6AD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H6CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
SI823H7CD-IS3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 14-SOIC |
描述:5KV GATE DRIVER 14-WBSOIC
*技术:-
*通道数:-
*电压 - 隔离:-
*共模瞬态抗扰度(最小值):-
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):-
传播延迟 tplh / tphl(最大值):-
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:14-SOIC
标签:
认可:14-SOIC
包装:-
数量:-
|
|
TLP5752H(D4TP4,E
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | 6-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 6-SO |
描述:GATE DRIVE COUPLER; 125C OPER TE
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):50ns
上升/下降时间(典型值):15ns,8ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):150ns,150ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.55V
电流 - dc 正向(if):20mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:6-SO
标签:
认可:CQC,CSA,cUL,UL,
包装:-
数量:-
|
|
IS480P
Datasheet 规格书
ROHS
|
Isocom Components 2004 LTD | 6-SOIC(0.268",6.80mm 宽) | 6-SO 伸展式 |
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):120ns
上升/下降时间(典型值):35ns,35ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):200ns,220ns
电流 - 输出高,低:200mA
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):1.33V
电流 - dc 正向(if):10mA
电压 - 电源:4.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 105°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-SOIC(0.268",6.80mm 宽)
供应商器件封装:6-SO 伸展式
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
VOD3120AB-T2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 8-SMD,鸥翼 | 8-SMD |
描述:OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER 2.5A
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5300Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):70ns
上升/下降时间(典型值):35ns,35ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2.5A
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.37V
电流 - dc 正向(if):20mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 105°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SMD,鸥翼
供应商器件封装:8-SMD
标签:
认可:CQC, cUL, UL, V
包装:-
数量:-
|
|
VOD3120AB-T
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | 8-SMD,鸥翼 | 8-SMD |
描述:OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER 2.5A
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5300Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):70ns
上升/下降时间(典型值):35ns,35ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):500ns,500ns
电流 - 输出高,低:2.5A
电流 - 峰值输出:2.5A
电压 - 正向(vf)(典型值):1.37V
电流 - dc 正向(if):20mA
电压 - 电源:15V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 105°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SMD,鸥翼
供应商器件封装:8-SMD
标签:
认可:CQC, cUL, UL, V
包装:-
数量:-
|