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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度(最小值) 电流 - 输出高,低 上升/下降时间(典型值) 脉宽失真(最大) 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) 电流 - 峰值输出 电压 - 正向(vf)(典型值) 电流 - DC 正向(If) 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
SI8231BC-D-IS1
10+: 18.0095 100+: 17.6879 1000+: 17.5271 3000+: 17.0447
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8232AC-D-IS1
10+: 18.0095 100+: 17.6879 1000+: 17.5271 3000+: 17.0447
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8237BC-D-IS1
10+: 18.0095 100+: 17.6879 1000+: 17.5271 3000+: 17.0447
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8232BC-D-IS1
10+: 18.0095 100+: 17.6879 1000+: 17.5271 3000+: 17.0447
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8231AC-D-IS1
10+: 18.0095 100+: 17.6879 1000+: 17.5271 3000+: 17.0447
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8230AC-D-IS1
10+: 18.0095 100+: 17.6879 1000+: 17.5271 3000+: 17.0447
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8285BC-IS
10+: 20.8951 100+: 20.5219 1000+: 20.3354 3000+: 19.7757
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Silicon Labs 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns 上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:9.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UL,VDE 包装:- 数量:-
SI8233AC-D-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8235BC-D-IS1
10+: 24.1350 100+: 23.7040 1000+: 23.4885 3000+: 22.8420
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8238BC-D-IS1
10+: 24.1350 100+: 23.7040 1000+: 23.4885 3000+: 22.8420
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8234AC-D-IS1
10+: 24.1350 100+: 23.7040 1000+: 23.4885 3000+: 22.8420
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8235AC-D-IS1
10+: 24.1350 100+: 23.7040 1000+: 23.4885 3000+: 22.8420
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8238AC-D-IS1
10+: 24.1350 100+: 23.7040 1000+: 23.4885 3000+: 22.8420
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8234BC-D-IS1
10+: 24.1350 100+: 23.7040 1000+: 23.4885 3000+: 22.8420
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82395BB-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82392BB-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82391BB-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82394AB4-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8273BBD-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):8ns 上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:1.8A, 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:9.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82391CB-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:12.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82394BB4-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
我要买
Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI82398AB4-IS1
10+: 23.3250 100+: 22.9085 1000+: 22.7002 3000+: 22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC(3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
FOD8482
10+: 23.8186 100+: 23.3933 1000+: 23.1806 3000+: 22.5426
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ON Semiconductor 6-SOIC(0.268",6.80mm 宽) 6-SOP
描述:IPM DRIVER 1MB *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns 上升/下降时间(典型值):15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向(vf)(典型值):1.4V 电流 - dc 正向(if):20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC(0.268",6.80mm 宽) 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
SI8235BB-D-IM1
10+: 24.1097 100+: 23.6792 1000+: 23.4639 3000+: 22.8181
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Silicon Labs 14-VDFN 14-QFN(5x5)
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
SI8234AB-D-IM1
10+: 24.1097 100+: 23.6792 1000+: 23.4639 3000+: 22.8181
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描述:ISOLATED GATE DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向(vf)(典型值):- 电流 - dc 正向(if):- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN(5x5) 标签: 认可:CQC,CSA,UR,VDE 包装:- 数量:-
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