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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
SI8231BC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:250mA
电流 - 峰值输出:500mA
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8232AC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:250mA
电流 - 峰值输出:500mA
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8237BC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:250mA
电流 - 峰值输出:500mA
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8232BC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:250mA
电流 - 峰值输出:500mA
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8231AC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:250mA
电流 - 峰值输出:500mA
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8230AC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:250mA
电流 - 峰值输出:500mA
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8285BC-IS
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
*技术:容性耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5ns
上升/下降时间(典型值):5.5ns,8.5ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns
电流 - 输出高,低:2.5A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:9.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UL,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8233AC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8235BC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8238BC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8234AC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8235AC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8238AC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8234BC-D-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:3750Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82395BB-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82392BB-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82391BB-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82394AB4-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI8273BBD-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs
脉宽失真(最大):8ns
上升/下降时间(典型值):10.5ns,13.3ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:1.8A,
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:9.6V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82391CB-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:12.8V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82394BB4-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:10V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
SI82398AB4-IS1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 16-SOIC(3.90MM 宽) | 16-SOIC |
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns(最大)
传播延迟 tplh / tphl(最大值):135ns,95ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(3.90MM 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
|
FOD8482
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-SOIC(0.268",6.80mm 宽) | 6-SOP |
描述:IPM DRIVER 1MB
*技术:光学耦合
*通道数:1
*电压 - 隔离:5000Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs
脉宽失真(最大):250ns
上升/下降时间(典型值):15ns,10ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns
电流 - 输出高,低:-
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向(vf)(典型值):1.4V
电流 - dc 正向(if):20mA
电压 - 电源:4.5V ~ 30V
工作温度:-40°C ~ 100°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-SOIC(0.268",6.80mm 宽)
供应商器件封装:6-SOP
标签:
认可:-
包装:-
数量:-
|
|
SI8235BB-D-IM1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
|
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SI8234AB-D-IM1
Datasheet 规格书
ROHS
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Silicon Labs | 14-VDFN | 14-QFN(5x5) |
描述:ISOLATED GATE DRIVER
*技术:容性耦合
*通道数:2
*电压 - 隔离:2500Vrms
*共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs
脉宽失真(最大):5.6ns
上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns
电流 - 输出高,低:2A,4A
电流 - 峰值输出:4A
电压 - 正向(vf)(典型值):-
电流 - dc 正向(if):-
电压 - 电源:6.5V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:14-VDFN
供应商器件封装:14-QFN(5x5)
标签:
认可:CQC,CSA,UR,VDE
包装:-
数量:-
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