描述:DGTL ISO 1.2KV SIC DRVR ESOP-R16 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:475ns, 447ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:305ns, 325ns 电流 - 输出高，低:7.8A, 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:18V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:1-A, 5.7-KVRMS OPTO-COMPATIBLE S *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:35ns 上升/下降时间（典型值）:28ns，25ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:105ns，105ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:1.5A， 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.1V 电流 - dc 正向（if）:16mA 电压 - 电源:14V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:4-A, 3.75-KVRMS OPTO-COMPATIBLE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:35ns 上升/下降时间（典型值）:28ns，25ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:105ns，105ns 电流 - 输出高，低:4.5A， 电流 - 峰值输出:4.5A， 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.1V 电流 - dc 正向（if）:16mA 电压 - 电源:14V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:2.4A， 电流 - 峰值输出:4.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:72ns，75ns 电流 - 输出高，低:2.4A， 电流 - 峰值输出:4.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:5A/5A, 3-KVRMS SINGLE-CHANNEL IS *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:8.5A, 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 15V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:5A/5A, 3-KVRMS SINGLE-CHANNEL IS *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:65ns，65ns 电流 - 输出高，低:5A，5A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A/6A 5.7KVRMS SING *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:5.5ns 上升/下降时间（典型值）:5ns，6ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:4A，6A 电流 - 峰值输出:4A，6A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:UCC5390ECD *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:10A，1 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:10A/10A SINGLE-CHANNEL ISOLATED *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:10A，1 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:16.5n 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:42ns，58ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:16.5n 上升/下降时间（典型值）:18ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:69ns，79ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:2.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC-IC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:IGBT GATE DRIVER W/ SLEW RATE CO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:30ns 上升/下降时间（典型值）:17ns，17ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，48ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:2A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC-IC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:ISO IGBT GATE DRIVERW/FLYBACK CO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:95ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:130ns， 121ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12V ~ 25V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:28-SOIC_W_FP 标签: 认可:CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:2.4A， 电流 - 峰值输出:4.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:1A- SGNL CHAN ISO GD WITH OPTO 5 *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:35ns 上升/下降时间（典型值）:28ns，25ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:105ns，105ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:2A，1. 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.1V 电流 - dc 正向（if）:16mA 电压 - 电源:14V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:4-A/5-A, 5.7-KVRMS SINGLE-CHANNE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:35ns 上升/下降时间（典型值）:28ns，25ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:105ns，105ns 电流 - 输出高，低:4.5A， 电流 - 峰值输出:4.5A， 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.1V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:IC POWER MANAGEMENT *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:35ns 上升/下降时间（典型值）:28ns，25ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:115ns，115ns 电流 - 输出高，低:4.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:2V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 130°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，TUV，UL， 包装:- 数量:-

描述:PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:2.4A， 电流 - 峰值输出:4.3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A/6A 5.7KVRMS SING CH ISODR 5V *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:5.5ns 上升/下降时间（典型值）:5ns，6ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:4A，6A 电流 - 峰值输出:4A，6A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:10A /10A 5KVRMS ISOGATE DR- BIPO *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:120kV/µs 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:17A，1 电流 - 峰值输出:10A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13.2V ~ 33V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:IPM DRIVER WL T&R *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:250ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.4V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:4.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:45ns，45ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:45ns，45ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-