描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:450ns，450ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:1.2A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:eSOP-R16B 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:40ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:120ns，120ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.268"，6.81mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 伸展式 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:225ns，225ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:2.4A， 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:eSOP-R16B 包装:- 数量:-

描述:IC JFET DVR SGL 1200V 4A DSO19 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:23ns，22ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.75V ~ 17.5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），19 引线 供应商器件封装:PG-DSO-19-4 标签: 认可:PG-DSO-19-4 包装:- 数量:-

描述:8A 750V ESOP IGBT SIC IN T/R *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:475ns, 447ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:305ns, 325ns 电流 - 输出高，低:7.8A, 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:18V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:CSA，UL1577，VDE 包装:- 数量:-

描述:SMART GATE DRIVE COUPLER *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:150ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.7V（ 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:21V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CQC， cUL， UL， V 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO16 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:4500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-16-15 标签: 认可:PG-DSO-16-15 包装:- 数量:-

描述:8A 750V ESOP IGBT T/R *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:465ns，460ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:3.6A， 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 1.2KV SIC DRVR ESOP-R16 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:500V/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:475ns, 447ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:305ns, 325ns 电流 - 输出高，低:7.8A, 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:18V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT GATE DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1200Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，15ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:90ns，90ns 电流 - 输出高，低:7.8A， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:0V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT GATE DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1200Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，15ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:90ns，90ns 电流 - 输出高，低:7.8A， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:0V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRVR 16SOIC *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:37ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:4.5A， 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:-

描述:8A, 1200V REINFORCED ISOLATION, *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:150ns，150ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:3.6A， 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:8A 1200V ESOP IGBT SIC IN T/R *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:475ns, 447ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:305ns, 325ns 电流 - 输出高，低:7.8A, 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:18V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:CSA，UL1577，VDE 包装:- 数量:-

描述:8A 750V ESOP SIC IN TUBES *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:475ns, 447ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:305ns, 325ns 电流 - 输出高，低:7.8A, 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:18V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:CSA，UL1577，VDE 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO20 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:4500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-20-55 标签: 认可:PG-DSO-20-55 包装:- 数量:-

描述:OPTOCOUPLER IGBT 4A 110C OPR TEM *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:32ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.7V（ 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:8A 750V ESOP IGBT *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:465ns，460ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:3.6A， 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:450ns，450ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:1.2A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:450ns，450ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:1.2A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:8A, 1200V REINFORCED ISOLATION, *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:150ns，150ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:3.6A， 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:8A 1200V ESOP IGBT SIC IN TUBES *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:475ns, 447ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:305ns, 325ns 电流 - 输出高，低:7.8A, 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:18V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:CSA，UL1577，VDE 包装:- 数量:-

描述:IC GATE DRIVER HVIC DSO36 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:3750Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:120ns，150ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:120ns 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-36-63 标签: 认可:PG-DSO-36-63 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V DSO36 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:3750Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，60ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-36-63 标签: 认可:PG-DSO-36-63 包装:- 数量:-