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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度（最小值） 电流 - 输出高，低 上升/下降时间（典型值） 脉宽失真（最大） 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） 电流 - 峰值输出 电压 - 正向（vf）（典型值） 电流 - DC 正向（If） 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
NCD57080ADR2G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:13ns，13ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:85ns，85ns 电流 - 输出高，低:8A，8A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:0V ~ 32V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
1EDC20H12AHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3.1V ~ 17V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1EDC10I12MHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3.1V ~ 17V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1EDC20I12AHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1EDC20I12MHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
STGAP2HSCMTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 8-SO
描述:GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:90ns，90ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-
STGAP2HSMTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 8-SO
描述:GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:90ns，90ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-
1EDC30I12MHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1EDC40I12AHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1EDC60I12AHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
1EDC60H12AHXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） PG-DSO-8-59
描述:IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:2500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-8-59 标签: 认可:PG-DSO-8-59 包装:- 数量:-
SID1102K-TL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Power Integrations 16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 eSOP-R16B
描述:DGTL ISO GATE DRVR *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:29ns，14ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:350ns，350ns 电流 - 输出高，低:5A，5A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:VDE 包装:- 数量:-
SID1102K
10+: ￥32.4626 100+: ￥31.8830 1000+: ￥31.5931 3000+: ￥30.7236
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Power Integrations 16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 eSOP-R16B
描述:DGTL ISO GATE DRVR *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:29ns，14ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:350ns，350ns 电流 - 输出高，低:5A，5A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:VDE 包装:- 数量:-
1ED020I12F2XUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 16-SOIC（7.50MM 宽） PG-DSO-16-15
描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO16 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:4500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-16-15 标签: 认可:PG-DSO-16-15 包装:- 数量:-
SID1152K-TL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Power Integrations 16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 eSOP-R16B
描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:225ns，225ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:2.4A， 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:eSOP-R16B 包装:- 数量:-
SI8281BC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 20-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
SI8282CC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Silicon Labs 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 20-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
SI8282BC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Silicon Labs 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 20-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
SI8281CC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Silicon Labs 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 20-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
BM61M41RFV-CE2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 10-SSOP（0.315"，8.00mm 宽） 10-SSOP-BW
描述:ISOLATION VOLTAGE 3750 VRMS 1CH *技术:- *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:60ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:65ns，65ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:10-SSOP（0.315"，8.00mm 宽） 供应商器件封装:10-SSOP-BW 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-
SID1112K-TL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Power Integrations 16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 eSOP-R16B
描述:DGTL ISO GATE DRVR *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:1125ns（最大），1125 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:480mA 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:VDE 包装:- 数量:-
SID1112K
10+: ￥41.1067 100+: ￥40.3726 1000+: ￥40.0056 3000+: ￥38.9045
我要买
Power Integrations 16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 eSOP-R16B
描述:DGTL ISO GATE DRVR *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:1125ns（最大），1125 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:340ns，330ns 电流 - 输出高，低:480mA 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:22V ~ 28V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标签: 认可:VDE 包装:- 数量:-
SI8283BC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 24-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
SI8284BC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 24-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
SI8283CC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 24-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
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