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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度（最小值） 电流 - 输出高，低 上升/下降时间（典型值） 脉宽失真（最大） 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） 电流 - 峰值输出 电压 - 正向（vf）（典型值） 电流 - DC 正向（If） 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
SI8271BB-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.7V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8271DB-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8286CC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
TLP5751H(TP4,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 6-SO
描述:GATE DRIVE COUPLER; 125C OPER TE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，CSA，cUL，UL， 包装:- 数量:-
TLP5751H(D4TP4,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 6-SO
描述:GATE DRIVE COUPLER; 125C OPER TE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，CSA，cUL，UL， 包装:- 数量:-
TLP5752H(TP4,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 6-SO
描述:GATE DRIVE COUPLER; 125C OPER TE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，CSA，cUL，UL， 包装:- 数量:-
1ED020I12B2XUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 16-SOIC（7.50MM 宽） PG-DSO-16-15
描述:IC IGBT DVR 1200V 2A DSO16 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:4500Vrms 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-16-15 标签: 认可:PG-DSO-16-15 包装:- 数量:-
STGAP2SCMTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SO
描述:DGTL ISO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1700VDC *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:- 包装:- 数量:-
TLP5754H(D4TP4,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 6-SO
描述:GATE DRIVE COUPLER; 125C OPER TE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，CSA，cUL，UL， 包装:- 数量:-
TLP5754H(TP4,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 6-SO
描述:GATE DRIVE COUPLER; 125C OPER TE *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，CSA，cUL，UL， 包装:- 数量:-
PS9031-Y-F3-AX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），5 引线 5-SOP
描述:HI-SPEED OPTOCPLR LSO5 *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:75ns 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:175ns，175ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），5 引线 供应商器件封装:5-SOP 标签: 认可:CSA，UL 包装:- 数量:-
1EDI30I12MFXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） PG-DSO-8-51
描述:IC IGBT DVR 1200V DSO8 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:9ns，6ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:9ns，6 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:PG-DSO-8-51 标签: 认可:PG-DSO-8-51 包装:- 数量:-
PS9031-Y-V-F3-AX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），5 引线 5-SOP
描述:HI-SPEED OPTOCPLR LSO5 *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:75ns 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:175ns，175ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），5 引线 供应商器件封装:5-SOP 标签: 认可:CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
SI8285BC-ISR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
TLP5771(TP,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 6-SO
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.65V 电流 - dc 正向（if）:8mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，cUR，UR，VDE 包装:- 数量:-
1EDF5673FXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 16-SOIC（3.90MM 宽） PG-DSO-16-11
描述:IC DRIVER IC GAN DSO-16-11 *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1500VDC *共模瞬态抗扰度（最小值）:150V/ns 脉宽失真（最大）:18ns（ 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:44ns, 44ns 电流 - 输出高，低:4A，8A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3.13V ~ 3.47V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-16-11 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
SI8274AB1-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8273GB-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8273DB-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8274GB4D-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:47ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:105ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8275GB-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8274DB1-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8274GB1-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
SI8273DBD-IS1R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-
1EDF5673KXUMA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 13-TFLGA PG-TFLGA-13-1
描述:IC DRIVER IC GAN LGA-13 *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1500VDC *共模瞬态抗扰度（最小值）:150V/ns 脉宽失真（最大）:18ns（ 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:44ns, 44ns 电流 - 输出高，低:4A，8A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3.13V ~ 3.47V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:13-TFLGA 供应商器件封装:PG-TFLGA-13-1 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-
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