描述:GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:90ns，90ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:16-SOIC 包装:- 数量:-

描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:14-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:8PW 2.5A GD DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，60ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:400ns，400ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-PDIP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:OPTOCOUPLER 2.5A HITEMP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，60ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:400ns，400ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:2.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:6 PIN IGBT GATE DRIVEWIDE BODY H *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:35ns，35ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:800mA 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.37V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:6-SO 伸展式 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V DSO8 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:PG-DSO-8-51 标签: 认可:PG-DSO-8-51 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V 2A 8DSO *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:PG-DSO-8-51 标签: 认可:PG-DSO-8-51 包装:- 数量:-

描述:6 PIN IGBT GATE DRIVEWIDE BODY & *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:35ns，35ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.37V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:6-SO 伸展式 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V DSO8 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:9ns，6ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:9ns，6 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:13V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:PG-DSO-8-51 标签: 认可:PG-DSO-8-51 包装:- 数量:-

描述:IC IGBT DVR 1200V DSO8 *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1 *共模瞬态抗扰度（最小值）:1 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:10ns， 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:10V ~ 35V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:PG-DSO-8-51 标签: 认可:PG-DSO-8-51 包装:- 数量:-

描述:IC DRIVER IC GAN DSO-16 *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150V/ns 脉宽失真（最大）:18ns（ 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:44ns, 44ns 电流 - 输出高，低:4A，8A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3.13V ~ 3.47V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:PG-DSO-16-30 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:35ns，35ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:800mA 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.37V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:- 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-