描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:1200Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:15ns 上升/下降时间（典型值）:14ns，19ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:90ns，90ns 电流 - 输出高，低:7.8A， 电流 - 峰值输出:6A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:0V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:SO6 2.5A GD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UL，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 14LGA *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-VDFN 供应商器件封装:14-QFN（5x5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:-

描述:4A WIDE LEAD GATE DRIVER *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-

描述:GALVANICALLY ISOLATED 4 A SINGLE *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:20ns 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:90ns，90ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:UL 包装:- 数量:-