描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:43ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:800mA 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-DIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:700ns，700ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:43ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:2ms，0.5ms 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.26V 电流 - dc 正向（if）:5mA 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:EN，IEC，TUV 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 5SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，60ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:400ns，400ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:16V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.362"，9.20mm 宽），5 引线 供应商器件封装:5-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:10kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:120ns，120ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:75kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:160ns，160ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:100mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:75kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:160ns，160ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:100mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:40kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-DIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-DIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:43ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.400"，10.16mm） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:11.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8DIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-DIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:10ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:200mA 电流 - 峰值输出:200mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12.5V ~ 17V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:59ns，59ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100V/ns 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:6ns，7ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:30ns，30ns 电流 - 输出高，低:4A，6A 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 4.243KV GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:55ns，10ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:300ns，300ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UL，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），12 引线 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量: