描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:UL，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.400"，10.16mm） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:UL，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:250ns，250ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:100kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:16ns，16ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:66ns，66ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.7V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5 *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:35ns，15ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:170ns，170ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.179"，4.55mm 宽），5 引线 供应商器件封装:6-SO，5 引线 标签: 认可:CSA，cUL，UL 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:250ns，250ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.268"，6.81mm 宽） 供应商器件封装:8-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，SEMKO，UL 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:11.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:13.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VELGA 供应商器件封装:8-LGA（10x12.5） 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5.3KV 1CH GATE DVR 5LSOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5300Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:48kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.36V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 32V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），5 引线 供应商器件封装:5-LSOP 标签: 认可:CQC，cUR，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 8SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:350ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:CSA，cUL，UL 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，cUL，UL，VDE 包装:- 数量:

描述:ISOLATED FET DRIVER WITH PIN CON *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:汽车级，AEC-Q100 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 标签: 认可:CQC，CSA，cUL，UL 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.7V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量: