描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:75ns 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:175ns，175ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，SEMKO，UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:75ns 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:175ns，175ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:CSA，SEMKO，UL，VD 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 20SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:50ns，50ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISI 5KV GATE DRIVER 20SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.5 V ~ 30 V 工作温度:-40¡ãC ~ 125¡ 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50MM 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:- 包装:管件 数量:

描述:OPTOISI 5KV GATE DRIVER 20SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12 V ~ 30 V 工作温度:-40¡ãC ~ 125¡ 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50MM 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 认可:- 包装:管件 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:75ns 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:175ns，175ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，SEMKO，UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:75ns 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:175ns，175ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，SEMKO，UL，VD 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:75ns 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:175ns，175ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，SEMKO，UL，VD 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:32ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:150ns，150ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.7V（ 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CQC，CSA，cUL，UL， 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.6V ~ 18V 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:EVALUATION KIT FOR SI8752 ISOLAT *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:* 数量:

描述:EVALUATION KIT FOR SI8751 ISOLAT *技术:- *通道数:- *电压 - 隔离:- *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 认可:- 包装:* 数量:

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:6.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:6.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-DIP 鸥翼 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:250mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.4V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:9.4V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:6.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:16V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8FLTPCK *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1，27V 电流 - dc 正向（if）:50mA 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-扁平封装 标签: 认可:UR 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:9.4V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:75ns，55ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:cUL，UL，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SOP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:16V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SOP 标签: 认可:UL 包装:- 数量: