描述:OPTOISO 2.5KV 1CH GATE DRVR 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:5kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:1.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-20°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:75ns，55ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:cUL，UL 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，10ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12V ~ 18.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UR 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，cUL，UL，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8FLTPCK *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:- 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:1，27V 电流 - dc 正向（if）:50mA 电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-扁平封装 标签: 认可:UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，cUL，UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:10kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.35V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:10kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:700ns，700ns 电流 - 输出高，低:200mA 电流 - 峰值输出:400mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.37V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:- 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:200kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，75ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.2V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:150kV/µs 脉宽失真（最大）:19ns 上升/下降时间（典型值）:10.5ns，13.3ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:75ns，60ns 电流 - 输出高，低:1.8A， 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.6V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:350ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.57V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:cUL，UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5 *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:350ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.179"，4.55mm 宽），5 引线 供应商器件封装:6-SO，5 引线 标签: 认可:cUL，UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:35ns，15ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:170ns，170ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.57V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 标签: 认可:cUL，UL 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:500ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:700ns，700ns 电流 - 输出高，低:400mA 电流 - 峰值输出:600mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.57V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:cUL，UL 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:10V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:6.5V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:2A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.57V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:UR 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:250ns，250ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.56V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.400"，10.16mm） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，SEMKO，UL 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.6V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:

描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:- 包装:- 数量:

描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:60ns，60ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量: