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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29JL032J70TFI223
Datasheet 规格书
ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29JL032J70TFI313
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29JL032J70TFI413
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29JL032J70TFI423
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S34ML01G100TFI500
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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S34ML01G100TFI900
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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S29GL128S10FHSS10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL128S90FHSS10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL128S90FHSS20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL128S90FHSS30
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL128S90FHSS40
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL128S90FHSS50
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL128S90FHSS60
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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CY62128ELL-45ZAXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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Cypress Semiconductor Corp | 32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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S34ML01G100TFV003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL128S10TFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
910
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128S10TFV020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY62128EV30LL-45SXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOIC | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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S34MS01G100BHI900
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA（11x9） | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
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S34MS01G104BHI910
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA（11x9） | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（64m x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
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AS4C32M16D2A-25BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 84-TFBGA | 84-TFBGA（8x12.5） | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
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CY62138EV30LL-45BVXI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
960
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Cypress Semiconductor Corp | 36-VFBGA | 36-VFBGA（6x8） | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （256K x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-VFBGA 供应商器件封装:36-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（256k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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S34ML01G200BHV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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S25FL128SAGBHIS00
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS4C2M32D1-5BIN
Datasheet 规格书
ROHS
散装
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Alliance Memory, Inc. | - | 144-BGA | 描述:IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:64Mb （2M x 32） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:144-BGA 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:64m（2m x 32） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |