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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
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CY62126EV30LL-45BVXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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71024S12YG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71016S12PHG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71016S20PHG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
135
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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S25FL127SABNFV103
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-WSON（6x8） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S25FL127SABMFI000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL127SABMFI001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
705
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY62126EV30LL-45ZSXIT
Datasheet 规格书
ROHS
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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MB85RS64TPN-G-AMEWE1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
1500
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Kaga FEI America, Inc. | 8-WFDFN 裸露焊盘 | 8-SON（2x3） | 描述:IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-SON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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71V424L10PHGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
135
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V424L12PHGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
135
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V424L15PHGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
135
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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MX29GL512FLT2I-10Q
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL512FHT2I-11G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL512FLT2I-11G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL512FHT2I-10Q
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY621282BNLL-70SXE
Datasheet 规格书
ROHS
管件
25
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOIC | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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FM25V02A-DGQ
Datasheet 规格书
ROHS
管件
162
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（4.5x4） | 描述:IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:40MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（4.5x4） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:256k（32k x 8） 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v |
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CY15B256Q-SXA
Datasheet 规格书
ROHS
管件
194
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:40MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:256k（32k x 8） 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v |
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CY15B256J-SXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC FRAM 256K I2C 3.4MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:130ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:3.4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:256k（32k x 8） 速度:3.4mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v |
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S29GL512T11FHIV23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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CY15B256Q-SXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:40MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:256k（32k x 8） 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P11TFI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY62148EV30LL-55ZSXET
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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S34ML04G200TFA000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |