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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MX25L25855EXCI-12G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 24-TBGA，CSPBGA | 24-CSPBGA（6x8） | 描述:IC FLASH 256M SPI 86MHZ 24TBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:300µs，5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:86MHz 访问时间:300µs，5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA，CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS4C8M32S-6BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Alliance Memory, Inc. | 90-TFBGA | 90-TFBGA（8x13） | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb （8M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-TFBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:128m（8m x 16） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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7130LA100J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7130LA55J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7130SA100JI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7130SA55JI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7140LA100J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7140LA55J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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S29GL128P10FFI012
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
400
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
/165-TBGA.jpg){kind=small}
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71V3556SA100BQ8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V124SA15PHGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
23
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V124SA15TYGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
23
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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CY7C1399BN-12ZXCT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71016S15PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71024S15TYG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71024S12TYG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS6C1008-55SINLTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS6C1016-55ZINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS4C4M16D1A-5TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 66-TSOP II | 描述:IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:64Mb （4M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:64m（4m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |
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S25FL127SABMFIZ01
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL127SABBHIT00
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL127SABMFI100
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
25
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL127SABMFIZ00
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX25L6455EMI-10G
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Macronix | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOP | 描述:IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:300µs，5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:300µs，5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1399BNL-12ZXCT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |