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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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71V3577S80BG
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
84
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3577S80BGG
Datasheet 规格书
ROHS
散装
2832-71V3577S80BGG
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:STANDARD 4.5MBIT 128K X 36 3.135 *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - Standard *存储容量:4.5Mb（128K x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:100 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:8 ns *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3577S85BG
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:87MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3577S85BGG
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
84
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:87MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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S25FL512SAGBHI310
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（6x8） | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SAGBHID10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1690
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（6x8） | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDPBHI210
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
676
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 512M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDPBHI310
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 512M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDSBHI210
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 512M SPI 80MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SAGBHIA10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY62128ELL-45SXA
Datasheet 规格书
ROHS
管件
250
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 封装/外壳:32-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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S25FL512SAGMFB013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDSMFBG13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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71V2556SA100BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V2556SA133BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA100BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA133BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA150BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:150MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:150mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3557S75BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:7.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:7.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3557S75BGG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:7.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:7.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3557S80BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3557S85BG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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S29GL512S10FHSS10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
900
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13x11） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL512S10FHSS20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13x11） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL512S10FHSS30
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
900
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13x11） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* |