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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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AS7C513B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
CY7C109D-10ZXIT
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ROHS
标准卷带
1500
|
Cypress Semiconductor Corp | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71V256SA12YGI8
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ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V256SA15YGI8
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ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS6C2008-55SINTR
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标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) | 32-SOP | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS6C2008A-55SINTR
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ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 32-SOP | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 封装/外壳:32-SOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | ||
AS6C2008-55STINTR
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标准卷带
1500
|
Alliance Memory, Inc. | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:32-sTSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
AS6C2008A-55STINTR
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标准卷带
1500
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Alliance Memory, Inc. | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:32-sTSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | ||
AS6C2008-55TINTR
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标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
AS6C2008A-55TINTR
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ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | ||
S25FL512SDPBHVC10
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 512M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m(64m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL512SDSBHV210
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托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 512M SPI 80MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m(64m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL512SAGBHBA13
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m(64m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S34MS04G100BHB000
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托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g(512m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
7130SA100PF8
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ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:8Kb (1K x 8) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP(14x14) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口,异步 存储容量:8k(1k x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
7130SA55PF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:8Kb (1K x 8) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP(14x14) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口,异步 存储容量:8k(1k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
7140SA100PF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:8Kb (1K x 8) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP(14x14) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口,异步 存储容量:8k(1k x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
7140SA55PF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:8Kb (1K x 8) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP(14x14) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口,异步 存储容量:8k(1k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
CY7C1011G30-10ZSXA
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托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
CY62148DV30LL-55SXIT
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:2.2V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 封装/外壳:32-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | ||
71V3556S100PFGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR(ZBT) *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V3556S133PFGI8
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ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR(ZBT) *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V3559S80PFGI8
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标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR(ZBT) *存储容量:4.5Mb (256K x 18) 存储器接口:8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m(256k x 18) 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
S29GL512S11DHB013
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb (32M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m(32m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
CY62157EV30LL-45BVXIT
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:8Mb (512K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:8m(512k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |