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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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7130LA100J
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7130SA100JI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7140LA100J
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7140LA55J
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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MX29GL512FDXFI-11G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
144
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Macronix | 64-LBGA，CSPBGA | 64-LFBGA，CSP（11x13） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA，CSPBGA 供应商器件封装:64-LFBGA，CSP（11x13） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL512FUXFI-11G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
144
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Macronix | 64-LBGA，CSPBGA | 64-LFBGA，CSP（11x13） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA，CSPBGA 供应商器件封装:64-LFBGA，CSP（11x13） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL512FUXFI-12G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 64-LBGA，CSPBGA | 64-LFBGA，CSP（11x13） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:120ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:120ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA，CSPBGA 供应商器件封装:64-LFBGA，CSP（11x13） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:120ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL512FDXFI-12G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 64-LBGA，CSPBGA | 64-LFBGA，CSP（11x13） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:120ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:120ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA，CSPBGA 供应商器件封装:64-LFBGA，CSP（11x13） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:120ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY14B256PA-SFXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC NVSRAM 256K SPI 40MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:40MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:nvsram（非易失 sram） 存储容量:256k（32k x 8） 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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71V3556S100PFGI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
72
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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AS7C1024B-15JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C1024B-20JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C1025B-15JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C31024B-15JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31024B-20JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31025B-10JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31025B-12JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31025B-15JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31025B-20JCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S25FL127SABNFB103
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
4000
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（5x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（5x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS7C1025B-12JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C1025B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C3513B-10JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb （32K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k（32k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3513B-12JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb （32K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k（32k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3513B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb （32K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k（32k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |