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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
/165-TBGA.jpg){kind=small}
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71V3556SA100BQGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA100BQI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA133BQGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA133BQI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3558SA133BQGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （256K x 18） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（256k x 18） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3558SA166BQGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （256K x 18） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（256k x 18） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3577S75BQI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:7.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:117MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:7.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3577S80BQI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3577S85BQI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:87MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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S29GL512P10TFIR13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 56TSOP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S29CD016J0MDGH014
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 模具 | 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 56MHZ DIE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb （512K x 32） 存储器接口:54ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:56MHz 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.75V 工作温度:-40°C ~ 145°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m（512k x 32） 速度:56mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 2.75 v |
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S29CD016J0MDGH114
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 模具 | 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 56MHZ DIE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb （512K x 32） 存储器接口:54ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:56MHz 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.75V 工作温度:-40°C ~ 145°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m（512k x 32） 速度:56mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 2.75 v |
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S29CD016J1JDGH014
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 模具 | 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 40MHZ DIE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb （512K x 32） 存储器接口:54ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:40MHz 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.75V 工作温度:-40°C ~ 145°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m（512k x 32） 速度:40mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 2.75 v |
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S29CD016J1MDGH114
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 模具 | 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 56MHZ DIE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb （512K x 32） 存储器接口:54ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:56MHz 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.75V 工作温度:-40°C ~ 145°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m（512k x 32） 速度:56mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 2.75 v |
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71V2556SA100BGG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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S25FL512SAGMFB010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDSMFBG10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SAGMFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
705
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SAGMFVG11
Datasheet 规格书
ROHS
管件
235
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SAGMFVR11
Datasheet 规格书
ROHS
管件
235
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDPMFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDPMFVG11
Datasheet 规格书
ROHS
管件
235
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL512SDSMFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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71V424L10YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 36-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P11FFIV22
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
400
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |