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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S29GL512S12TFIV10
托盘
182
10+: ￥2.3034 100+: ￥2.2623 1000+: ￥2.2417 3000+: ￥2.1800
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:120ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:120ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL512S12TFIV20
托盘
91
10+: ￥39.2336 100+: ￥38.5330 1000+: ￥38.1827 3000+: ￥37.1318
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:120ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:120ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
7130LA100PF8
标准卷带
10+: ￥60.6096 100+: ￥59.5273 1000+: ￥58.9861 3000+: ￥57.3626
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 64-TQFP（14x14） 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP（14x14） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
7130LA55PF8
标准卷带
10+: ￥60.6096 100+: ￥59.5273 1000+: ￥58.9861 3000+: ￥57.3626
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 64-TQFP（14x14） 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP（14x14） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
7140LA100PF8
标准卷带
10+: ￥60.6096 100+: ￥59.5273 1000+: ￥58.9861 3000+: ￥57.3626
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 64-TQFP（14x14） 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP（14x14） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
7140LA55PF8
标准卷带
10+: ￥60.6096 100+: ￥59.5273 1000+: ￥58.9861 3000+: ￥57.3626
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 64-TQFP（14x14） 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP（14x14） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71V2556S100PFGI8
标准卷带
1000
10+: ￥42.0306 100+: ￥41.2800 1000+: ￥40.9048 3000+: ￥39.7789
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IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP 100-TQFP（14x14） 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V2556S133PFGI8
标准卷带
10+: ￥60.8247 100+: ￥59.7386 1000+: ￥59.1955 3000+: ￥57.5663
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IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP 100-TQFP（14x14） 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V2556S150PFGI8
标准卷带
1000
10+: ￥42.0306 100+: ￥41.2800 1000+: ￥40.9048 3000+: ￥39.7789
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP 100-TQFP（14x14） 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:150MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:150mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V25761S166BGI8
标准卷带
10+: ￥60.8247 100+: ￥59.7386 1000+: ￥59.1955 3000+: ￥57.5663
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IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA（14x22） 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
S29GL512S11DHV020
托盘
1300
10+: ￥2.1642 100+: ￥2.1255 1000+: ￥2.1062 3000+: ￥2.0482
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL256P11FFI023
标准卷带
1600
10+: ￥4.9358 100+: ￥4.8477 1000+: ￥4.8036 3000+: ￥4.6714
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX66L51235FXDI-10G
托盘
480
10+: ￥66.9629 100+: ￥65.7671 1000+: ￥65.1692 3000+: ￥63.3756
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Macronix 24-TBGA，CSPBGA 24-CSPBGA（6x8） 描述:IC FLASH 512M SPI 24CSPBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:40ms，3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:40ms，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA，CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71V3579S65PFG8
标准卷带
1000
10+: ￥40.2840 100+: ￥39.5647 1000+: ￥39.2050 3000+: ￥38.1260
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IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP 100-TQFP（14x20） 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （256K x 18） 存储器接口:6.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（256k x 18） 速度:6.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
S34ML04G100TFA000
托盘
10+: ￥56.5217 100+: ￥55.5124 1000+: ￥55.0077 3000+: ￥53.4937
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML04G100TFB000
托盘
10+: ￥56.5217 100+: ￥55.5124 1000+: ￥55.0077 3000+: ￥53.4937
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128P90FFCR20
托盘
900
10+: ￥1.3542 100+: ￥1.3300 1000+: ￥1.3179 3000+: ￥1.2816
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPBHBC00
托盘
676
10+: ￥1.7972 100+: ￥1.7651 1000+: ￥1.7490 3000+: ￥1.7009
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA（8x6） 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
CY7C1347G-133AXC
托盘
360
10+: ￥2.2781 100+: ￥2.2374 1000+: ￥2.2171 3000+: ￥2.1560
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Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP 100-TQFP（14x20） 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v
CY7C1347G-200AXC
托盘
360
10+: ￥1.6579 100+: ￥1.6283 1000+: ￥1.6135 3000+: ￥1.5691
我要买
Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP 100-TQFP（14x20） 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:2.8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v
S29GL128S10TFB020
托盘
182
10+: ￥1.5314 100+: ￥1.5040 1000+: ￥1.4904 3000+: ￥1.4493
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128P11FFIV23
标准卷带
1600
10+: ￥1.3162 100+: ￥1.2927 1000+: ￥1.2810 3000+: ￥1.2457
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
71V424L10YGI8
标准卷带
500
10+: ￥41.5623 100+: ￥40.8201 1000+: ￥40.4490 3000+: ￥39.3358
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 36-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
CY7C1049CV33-12ZSXAT
标准卷带
10+: ￥57.4076 100+: ￥56.3825 1000+: ￥55.8699 3000+: ￥54.3322
我要买
Cypress Semiconductor Corp 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP II 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
CY62147G30-55ZSXET
标准卷带
1000
10+: ￥1.9617 100+: ￥1.9267 1000+: ￥1.9091 3000+: ￥1.8566
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Cypress Semiconductor Corp 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP II 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v
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