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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
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7130LA55PDGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-DIP（0.600"，15.24mm） | 48-PDIP | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 48DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:48-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:48-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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CY62157EV18LL-55BVXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:8Mb （512K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:8m（512k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 2.25 v |
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71V65603S133PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:9Mb （256K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:9m（256k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA100BGG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA133BGG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V3556SA150BGG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:150MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:150mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V65603S100PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x20） | 描述:IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:9Mb （256K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:9m（256k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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CY7C1011G30-12ZSXET
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （128K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（128k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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CY7C1041G30-10ZSXET
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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CY62147EV30LL-45B2XAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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S29GL512P10FFIR23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13X11） | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13X11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S29GL512P10FFSS73
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13X11） | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13X11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL512P10FFSS83
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13X11） | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13X11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL512P11FAI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13X11） | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13X11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL512P11FAI023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13X11） | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13X11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL512P12FFIV23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA（13X11） | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 64BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13X11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:120ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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CG8305AAT
Datasheet 规格书
ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC SRAM MICROPOWER 32TSOP II *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | ||
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71321SA55J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7132SA100J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7132SA55J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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71421SA55J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7142SA100J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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7142SA55J8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:52-LCC（J 形引线） 封装/外壳:52-PLCC（19.13x19.13） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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CY62147EV18LL-55BVXI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘托盘
2400
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（256K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 2.25 v |
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S29GL512S11WEIV19
Datasheet 规格书
ROHS
散装
25
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL WAFER *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |