服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
|
S25FL128SAGNFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
|
S25FL128SAGNFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
S25FL128SDPBHVC00
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
|
Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
24FC02T-I/MUY
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
5000
|
Microchip Technology | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（2x3） | 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb（256 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
S25FL128SDSBHV200
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
3380
|
Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
S29GL128S90FHSS13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
|
S29GL128S90FHSS23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
|
S29GL128S90FHSS33
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
|
S29GL128S90FHSS43
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
|
S29GL128S90FHSS53
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
|
S29GL128S90FHSS63
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
AS7C31025C-10TJIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
71V2556SA133BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3556SA100BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3556SA133BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
/165-TBGA.jpg){kind=small}
|
71V3556SA166BQGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3557S80BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3557S85BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V35761SA166BQG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V35761SA183BQG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 165-TBGA | 165-CABGA（13x15） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3577S75BGGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:7.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:117MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:7.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3577S75BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:7.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:117MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:7.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3577S80BGGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3577S80BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3577S85BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:87MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |