服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
|
AS4C32M16MD1-5BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FBGA（8x9） | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x9） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
|
S29GL256P10TFI023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
|
S29GL256P11TFIV13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:56-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
|
|
S29GL256P11TFIV23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
|
71V416L12PHG/3247
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
FM24V02A-GTR
Datasheet 规格书
ROHS
2500
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC FRAM 256K I2C 3.4MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:130ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:3.4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:256k（32k x 8） 速度:3.4mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v |
|
71V424S15YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 36-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
71V35761S183PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
|
71V3577S85PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
带卷（TR）
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14X14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:87MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:8.5ns *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14X14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
|
AS4C128M8D3-12BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（8x10.5） | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3 sdram 存储容量:1g（128m x 8） 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.425 v ~ 1.575 v |
|
|
CG8142AAT
Datasheet 规格书
ROHS
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC SRAM ASYNC 44TSOP II *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | ||
|
S29GL128S90DHSS33
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
|
S29GL128S90DHSS43
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
|
CY7C1019DV33-10BVXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
FM24CL64B-DGTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（4x4.5） | 描述:IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:550 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（4x4.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:64k（8k x 8） 速度:1mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
|
FM25CL64B-DGTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
3000
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-TDFN（4x4.5） | 描述:IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:20MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-TDFN（4x4.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:64k（8k x 8） 速度:20mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
S34MS01G100BHI003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | ||
|
71V256SA12PZGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
71V256SA15PZGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
71V256SA20PZG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
S25FL127SABMFB103
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2100
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
71016S20YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
S25FL128SAGBHV200
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
|
Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
S25FL128SAGBHV300
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
3380
|
Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
|
S25FL128SAGBHVA00
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
|
Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |