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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29VS256RABBHI000
Datasheet 规格书
ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA(7.5X5) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA(7.5X5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
S29VS256RABBHI010
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA(7.5X5) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA(7.5X5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
CY62147G30-45BVXA
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480
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
71V2556SA166BG8
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标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR(ZBT) *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V25761S166BG8
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标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V25761S183BG8
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标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V3556SA166BG8
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ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR(ZBT) *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V35761SA166BG8
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标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V35761SA166BGG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V35761SA183BG8
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ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
71V35761SA183BGG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA(14x22) | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v | |
S29GL256S90DHSS50
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ROHS
托盘
2600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
AS4C64M8D2-25BINTR
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ROHS
标准卷带
2000
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FBGA(8x10) | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA(8x10) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:512m(64m x 8) 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v | |
S29GL256P90TFCR13
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ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
S29GL256P90TFCR23
Datasheet 规格书
ROHS
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
MX25L25655FXCI-10G
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ROHS
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480
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Macronix | 24-TBGA,CSPBGA | 24-CSPBGA(6x8) | 描述:IC FLASH 256M SPI 24CSPBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:30µs,3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:30µs,3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA,CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX25L25655FXDI-10G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 24-TBGA,CSPBGA | 24-CSPBGA(6x8) | 描述:IC FLASH 256M SPI 24CSPBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:30µs,3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:30µs,3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA,CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90FHSS10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1800
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1800
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS30
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS40
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS50
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1800
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS60
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1800
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
FM25V02A-DGTR
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN(4.5x4) | 描述:IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:40MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(4.5x4) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram(ferroelectric ram) 存储容量:256k(32k x 8) 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v | |
AS4C128MD2-25BCNTR
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标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FBGA(8x10) | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA(8x10) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:1g(128m x 8) 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |