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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S29VS256RABBHI000
托盘
10+: 58.0784 100+: 57.0413 1000+: 56.5227 3000+: 54.9670
我要买
Cypress Semiconductor Corp 44-VFBGA 44-VTBGA(7.5X5) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA(7.5X5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S29VS256RABBHI010
托盘
10+: 58.0784 100+: 57.0413 1000+: 56.5227 3000+: 54.9670
我要买
Cypress Semiconductor Corp 44-VFBGA 44-VTBGA(7.5X5) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA(7.5X5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
CY62147G30-45BVXA
托盘
480
10+: 1.9237 100+: 1.8894 1000+: 1.8722 3000+: 1.8207
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-VFBGA(6x8) 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v
71V2556SA166BG8
标准卷带
10+: 58.0910 100+: 57.0537 1000+: 56.5350 3000+: 54.9790
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR(ZBT) *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V25761S166BG8
标准卷带
10+: 58.0910 100+: 57.0537 1000+: 56.5350 3000+: 54.9790
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V25761S183BG8
标准卷带
10+: 58.0910 100+: 57.0537 1000+: 56.5350 3000+: 54.9790
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V3556SA166BG8
标准卷带
1000
10+: 41.5243 100+: 40.7828 1000+: 40.4121 3000+: 39.2998
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IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR(ZBT) *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V35761SA166BG8
标准卷带
10+: 58.0910 100+: 57.0537 1000+: 56.5350 3000+: 54.9790
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IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V35761SA166BGG8
标准卷带
10+: 58.0910 100+: 57.0537 1000+: 56.5350 3000+: 54.9790
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IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V35761SA183BG8
标准卷带
1000
10+: 41.5243 100+: 40.7828 1000+: 40.4121 3000+: 39.2998
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
71V35761SA183BGG8
标准卷带
10+: 58.0910 100+: 57.0537 1000+: 56.5350 3000+: 54.9790
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA 119-PBGA(14x22) 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,SDR *存储容量:4.5Mb (128K x 36) 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA(14x22) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m(128k x 36) 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v
S29GL256S90DHSS50
托盘
2600
10+: 1.5693 100+: 1.5413 1000+: 1.5273 3000+: 1.4853
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:*
AS4C64M8D2-25BINTR
标准卷带
2000
10+: 3.3412 100+: 3.2815 1000+: 3.2517 3000+: 3.1622
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Alliance Memory, Inc. 60-TFBGA 60-FBGA(8x10) 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA(8x10) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:512m(64m x 8) 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v
S29GL256P90TFCR13
标准卷带
1000
10+: 35.0318 100+: 34.4062 1000+: 34.0935 3000+: 33.1551
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S29GL256P90TFCR23
1000
10+: 31.1338 100+: 30.5778 1000+: 30.2998 3000+: 29.4659
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
MX25L25655FXCI-10G
托盘
480
10+: 29.3113 100+: 28.7879 1000+: 28.5262 3000+: 27.7410
我要买
Macronix 24-TBGA,CSPBGA 24-CSPBGA(6x8) 描述:IC FLASH 256M SPI 24CSPBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:30µs,3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:30µs,3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA,CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX25L25655FXDI-10G
托盘
10+: 36.2721 100+: 35.6244 1000+: 35.3005 3000+: 34.3289
我要买
Macronix 24-TBGA,CSPBGA 24-CSPBGA(6x8) 描述:IC FLASH 256M SPI 24CSPBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:30µs,3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:30µs,3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA,CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL256S90FHSS10
托盘
1800
10+: 1.5693 100+: 1.5413 1000+: 1.5273 3000+: 1.4853
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:*
S29GL256S90FHSS20
托盘
1800
10+: 1.5693 100+: 1.5413 1000+: 1.5273 3000+: 1.4853
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:*
S29GL256S90FHSS30
托盘
10+: 36.3101 100+: 35.6617 1000+: 35.3375 3000+: 34.3649
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:*
S29GL256S90FHSS40
托盘
10+: 36.3101 100+: 35.6617 1000+: 35.3375 3000+: 34.3649
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:*
S29GL256S90FHSS50
托盘
1800
10+: 1.5693 100+: 1.5413 1000+: 1.5273 3000+: 1.4853
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:*
S29GL256S90FHSS60
托盘
1800
10+: 1.5693 100+: 1.5413 1000+: 1.5273 3000+: 1.4853
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:*
FM25V02A-DGTR
标准卷带
10+: 36.3354 100+: 35.6865 1000+: 35.3621 3000+: 34.3888
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-DFN(4.5x4) 描述:IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:40MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(4.5x4) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram(ferroelectric ram) 存储容量:256k(32k x 8) 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v
AS4C128MD2-25BCNTR
标准卷带
10+: 36.3860 100+: 35.7363 1000+: 35.4114 3000+: 34.4368
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Alliance Memory, Inc. 60-TFBGA 60-FBGA(8x10) 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA(8x10) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:1g(128m x 8) 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v
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