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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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71V3557S85PFGI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
72
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:8.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:8.5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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MX66L51235FZ2I-10G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Macronix | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:IC FLSH 512MBIT SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:40ms，3ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1327G-133AXI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
144
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Cypress Semiconductor Corp | 100-LQFP | 100-TQFP（14x20） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （256K x 18） 存储器接口:4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（256k x 18） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v |
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CY7C1350G-133AXI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
144
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Cypress Semiconductor Corp | 100-LQFP | 100-TQFP（14x20） | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.6 v |
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S29GL512T10GHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 56-VFBGA | 56-FBGA（9x7） | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-VFBGA 供应商器件封装:56-FBGA（9x7） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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71V3556S166PFGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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S25FL512SDPMFIG11
Datasheet 规格书
ROHS
管件
705
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（64m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY14B256I-SFXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC NVSRAM 256K I2C 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:- 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:3.4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:nvsram（非易失 sram） 存储容量:256k（32k x 8） 速度:3.4mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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7130SA55TF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 64-TQFP（10x10） | 描述:IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:8Kb （1K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LQFP 封装/外壳:64-TQFP（10x10） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 双端口，异步 存储容量:8k（1k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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71V2546S133BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V2556SA100BGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 119-BGA | 119-PBGA（14x22） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR（ZBT） *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 zbt 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:100mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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S29GL512P11TAI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL512P12TFIV13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:120ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL512P12TFIV23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:512m（32m x 16） 速度:120ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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71V35761S166PFGI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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71V35761S183PFGI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.3ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:183MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:183mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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S25FL128SAGMFB010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P10FFI023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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CY7C1351G-133AXC
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
25
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Cypress Semiconductor Corp | 100-LQFP | 100-TQFP（14x20） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:6.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:133mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.6 v |
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CY7C1327S-166AXC
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
144
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Cypress Semiconductor Corp | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （256K x 18） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（256k x 18） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P90FFIR13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29VS256R0SBHW003
Datasheet 规格书
ROHS
带卷（TR）
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA（7.5X5） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA（7.5X5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |
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S29VS256R0SBHW013
Datasheet 规格书
ROHS
带卷（TR）
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA（7.5X5） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA（7.5X5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |
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S29VS256RABBHW003
Datasheet 规格书
ROHS
带卷（TR）
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA（7.5X5） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA（7.5X5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |
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S29VS256RABBHW013
Datasheet 规格书
ROHS
带卷（TR）
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA（7.5X5） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA（7.5X5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |